1700V 1000mΩ SiC MOSFET Soolpaneel Invertere

Oorsprongplek:	Zhejiang
Handelsnaam:	Inventchip Technology
Modelnommer:	IV2Q171R0D7Z
Sertifisering:	AEC-Q101 gekwalifiseer

Kenmerke

• 2de Generasie SiC MOSFET-tegnologie met +15~+18V gate drijfkracht

• Hoë blokerings spanning met lae aan-wigstand

• Hoë spoed skakeling met lae kapasiteit

• 175℃ bedrywingsvoegtemperatuurvermoë

• Uiters vinnige en robuuste intrinsieke liggaamdiod

• Kelvin poort invoer wat draaiersirkelontwerp vergemaklik

• AEC-Q101 gekwalifiseer

Toepassingsareas

• Sonnepanelinvertere

• Bykomende magverspreiding

• Omskakelingsmagvoorsieners

• Slimme meetinstrumente

Omskrywing:

 

Merkingsdiagram:

Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VDS	Afwyking Spanning	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transient)	Maksimum piekspanning	-10 to 23	V	Werfswyklus <1%, en impulsbreedte <200ns
VGSaan	Aanbevole aan-spanning	15 to 18	V
VGSoop	Aanbevole af-spanning	-5 to -2	V	Tipeswaarde -3.5V
ID	Afrigstroom (kontinuus)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Figs. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afrigstroom (puls)	15.7	A	Pulswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Liggaamsdiodestroom (puls)	15.7	A	Pulswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
PTOT	Totale magtverbruik	73	W	TC =25°C	Figs. 24
Tstg	Opslagtemperatuurreeks	-55 tot 175	°C
TJ	Bedrywige skakeltemperatuur	-55 tot 175	°C

Termiese data

Simbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Nota
Rθ(J-C)	Termiese weerstand vanaf voeging na kasing	2.05	°C/W	Figs. 25

Elektrisiteit Kenmerke (TC =25°C tenzyl anders gespesifiseer)

Simbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
		Min.	Tipe.	Max.
IDSS	Nul poort spanning draai stroom		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Poort lekstroom			±100	na	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Poort drempelspanning	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Statiske drain-bron aan - weerstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Figs. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Invoer kapasiteit		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Figs. 16
Coss	Uitvoer kapasiteit		15.3		pF
Crss	Omgewings oordrag kapasiteit		2.2		pF
Eoss	Coss gestoorde energie		11		μJ		Fig. 17
Qg	Totale poortladings		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Poort-bron ladings		2.7		nC
Qgd	Poort-drain ladings		12.5		nC
Rg	Poort invoerweerstand		13		o	f=1MHz
EON	Aansluitingsskakelenergie		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V tot 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitskakelingsenergie		17.0		μJ
td(aan)	Aanslaagvertragings tyd		4.8		ns
tR	Stygtyd		13.2
td(uit)	Uitslaagvertragings tyd		12.0
tF	Valtyd		66.8
EON	Aansluitingsskakelenergie		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V tot 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Omgewende Diode Karakteristieke (TC =25。C ten einde anders gespesifiseer)

Simbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
		Min.	Tipe.	Max.
VSD	Diodenvoorwaartse spanning		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Figs. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
Is	Diode voorskuit stroom (kontinu)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Terugwinste tyd		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Terugwinste ladingskaping		54.2		nC
IRRM	Piek omkeringsherstelstrom		8.2		A

Tipesie Prestasie (krommes)

 

Pakket Afmetings

Nota:

1. Verpakking verwysing: JEDEC TO263, Variasie AD

2. Alle afmetings is in mm

3. Onderhewig aan verandering sonder kennisgewing