تتأثر تجربة تخزين المعلومات بشكل كبير بوحدات MOSFET ذات البوابة العائمة والتي تعد جهازًا إلكترونيًا فريدًا. والشيء الرائع في هذه البتات هو أنها تستطيع الاحتفاظ بالبيانات بعد انقطاع التيار الكهربائي. تشرح هذه المقالة ماهية ترانزستورات MOS ذات البوابة العائمة، وكيفية عملها والخصائص التي يمكن أن تقدمها هذه الأجهزة لأنواع مختلفة من الأنظمة الإلكترونية.
تعد ترانزستورات تأثير المجال MOSFET أو ترانزستورات التأثير الميداني لأشباه الموصلات المعدنية من المكونات الإلكترونية المهمة التي تسمح بالتلاعب بتدفق الكهرباء. توجد الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) في مجموعة واسعة من الأشياء المستخدمة في جميع أنحاء المنزل، بما في ذلك أجهزة الكمبيوتر والهواتف المحمولة وأجهزة التلفزيون. تعتبر الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFETs) ذات البوابة العائمة خاصة لأنها يمكنها تخزين الشحنة دون أي طاقة، وهو ما لا ينطبق على جميع أنواع الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFETs).
تحتوي البوابة العائمة MOSFET على عدد قليل جدًا من الجسيمات تسمى الإلكترون، داخل قطعة معدنية (البوابة العائمة). وهي محاطة بمادة عازلة محددة تحبس الإلكترونات في مكانها حيث لا يمكنها الدخول أو الهروب إلا من خلال هذه القناة. عندما يتم تطبيق الإلكترونات على هذه البوابة - وبالتالي من خلال تدفق الكهرباء الحالي، هناك بوابة مفتوحة بين هاتين الغرفتين الموصلتين وبالتالي فإن كل إلكترون يدخل إلى أحد جانبي "النهر" يُحتجز في الأعلى. المثير للاهتمام هنا هو أن هذه الإلكترونات الملتقطة يمكنها البقاء على البوابة لفترة طويلة وستظل مقاومتها عالية حتى عندما نطفئها. هذه هي السمة التي تسمح للدوائر MOSFET ذات البوابة العائمة "بتذكر" المعلومات على مدى فترة طويلة.
تُسمى مساحة التطبيق التي تكون فيها الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ذات البوابة العائمة الأكثر أهمية بالذاكرة غير المتطايرة. الذاكرة غير المتطايرة، كما يشير الاسم نفسه إلى نوع من الذاكرة التي لن تفقد معلوماتها على الرغم من توقف تشغيلها. وهذه ميزة مهمة للعديد من الأجهزة الإلكترونية مثل محركات أقراص USB وبطاقات الذاكرة وأقراص الحالة الصلبة.
هذا هو نوع الذاكرة حيث يتم احتجاز الإلكترونات داخل بوابة عائمة ولا يمكن إضافتها إلا، مثلما ذكرت من قبل. تتدفق الإلكترونات إلى البوابة عندما نطبق الجهد الكهربي، ومن ثم يمكنها البقاء هناك لفترة طويلة جدًا حتى في حالة انقطاع التيار الكهربائي. هذه الخصوصية هي ما يمكّن الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ذات البوابة العائمة من تخزين المعلومات لفترة طويلة من الوقت.
نوع ذاكرة البوابة العائمة MOSFET: هناك عدة أنواع مختلفة من ذاكرة البوابة العائمة، بما في ذلك EEPROM (ذاكرة الشبكة القابلة للبرمجة كهربائيًا والقابلة للمسح فقط)، وفلاش NAND، وNOR Burst. هناك أنواع قليلة جيدة وجميعها لها نقاط قوة ونقاط ضعف مختلفة. تعد ذاكرة فلاش NAND مثالاً على السرعة الكبيرة إلكترونيًا والقدرة على تخزين كميات كبيرة من البيانات. ولكن لا يمكن محوها إلا في مجموعات، وهو ما يعد عيبًا في بعض الحالات. في المقابل، تعد ذاكرة فلاش NOR أبطأ ولكن يمكن محوها في قطاعات أصغر، لذا فهي توفر إدارة بيانات أكثر تخصيصًا لحالات استخدام محددة.
تستخدم أنظمة الاستشعار أجهزة الاستشعار لجمع البيانات الثابتة أو الديناميكية من البيئة: درجة الحرارة والضغط والحركة. في أنظمة الحوسبة، المجمعات عبارة عن أجهزة خاصة تسمى المعالجات التي تقوم بعد ذلك بتحليل هذه المعلومات واتخاذ القرارات بناءً على ما تجده. تعد وحدات MOSFET ذات البوابة العائمة مفيدة لكل من أنظمة الاستشعار والحوسبة، حيث يمكنها تخزين البيانات على فترات زمنية طويلة مع الحفاظ على موثوقيتها.
نقدم للعملاء خدمات منتجات عالية الجودة بأقل قدر ممكن من البوابة العائمة.
مختبرات احترافية لضمان جودة العملية الكاملة، وموسفيت البوابة العائمة ذات الجودة العالية.
يشارك فريق Mosfet ذو البوابة العائمة الخبراء المعرفة المتطورة للمساعدة في تطوير السلسلة الصناعية.
تدعم شركة Allswell Tech البوابة العائمة mosfet لأي أسئلة تتعلق بمنتجات Allswell.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
لا
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
