يعد MOSFET من النوع n جهازًا أساسيًا للغاية في معرفة طريق التيار داخل أي دائرة. بوابة المصدر والصرف هي المكونات الثلاثة لهذا الجهاز. الفكرة هي أنه عند تطبيق جهد كهربائي على البوابة، فإنها تفتح مسارًا (قناة) بين المصدر والمصرف يمكن أن تتحرك الكهرباء من خلاله بسهولة. يتم استخدام مواد مختلفة مثل السيليكون والمعادن في صناعة MOSFET من النوع n للتأكد من أنه يعمل بشكل صحيح.
إحدى المزايا الرئيسية لاستخدام MOSFET من النوع n هي التحكم في التيار مما يمنع الكهرباء من المرور عبر الدائرة. ويمكن استخدامه لتشغيل الأجهزة أو إيقاف تشغيلها ذاتيًا، بالإضافة إلى التحكم في كمية الطاقة التي يتم الوصول إليها. سيسمح بتوفير الطاقة، على سبيل المثال تقليل الطاقة عندما لا يكون ذلك ضروريًا. تعمل وحدات MOSfets من النوع n بسرعة أيضًا. السرعة: السرعة هي مصدر قوتها، ولذلك يتم استخدامها في الدوائر التي تتطلب استجابة سريعة مثل تلك الخاصة بأنظمة الكمبيوتر أو الأجهزة الإلكترونية الأخرى.
ومع ذلك، هناك أيضًا بعض العيوب التي يجب عليك أخذها في الاعتبار عند استخدام الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) من النوع n. يمكن أن تكون هذه مشكلة كبيرة حيث من المعروف أن هذه التغيرات في درجات الحرارة تؤثر عليها. إذا كانت درجة الحرارة مرتفعة أو منخفضة جدًا، فقد يؤدي ذلك إلى تشغيل خاطئ للجهاز وحتى تعطله. عيب آخر هو أن تصنيع الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة من النوع n مكلف للغاية. يمكن أن يكون هذا السعر المرتفع مقيدًا للشركات الصغيرة أو الشركات التي قد لا تمتلك الأموال اللازمة لدمج هذه المكونات في عروضها.
توجد أيضًا وحدات MOSFET من النوع n، والتي يمكن العثور عليها في العديد من الأجهزة الإلكترونية مثل أجهزة الكمبيوتر وأجهزة التلفزيون والهواتف المحمولة. يتم استخدام MOSFET آخر، الإصدار n من تلك الموجودة في أجهزة الكمبيوتر للتحكم في الطاقة أثناء تدفقها من هذه المقابس العديدة (التي تمثلها وحدات الإدخال/الإخراج) إلى أشياء مثل المعالج أو الذاكرة الموجودة على الكمبيوتر. وهذا يضمن حصول كل قسم على الكمية المناسبة من الكهرباء التي يحتاجها ليعمل بشكل صحيح. يتم استخدام نوع n MOSFET في التحكم في سطوع الشاشة على التلفزيون حيث يمكن جعلها تبدو أفتح أو داكنة للعرض. على سبيل المثال، تقوم وحدات MOSFET من النوع n الموجودة في الهاتف الخلوي بإدارة الطاقة للشاشة أو مكبرات الصوت أو الميكروفون لضمان عملها دون فشل وتبقى فعالة قدر الإمكان.
يعد بناء واختبار الدائرة عند استخدام قناة MOSFET n أمرًا أكثر صعوبة. يبدأ كل شيء بتصميم الدوائر التي يجب الاهتمام بها فيما يتعلق بخصائص MOSFET مثل المقاومة والسعة مع دمج الخصائص الرئيسية وطبيعة العمل لكيفية عملها. بعد الانتهاء من تصميم الدائرة، يجب اختبارها حتى تعمل بشكل سليم. أثناء الاختبار، يتم إخضاع MOSFET من النوع n لخطواته باستخدام مجموعة متنوعة من أجهزة القياس الكهربائية للتحقق من قدرته على تلبية جميع الشروط المحددة عندما تتدفق الكهرباء عبر الدائرة.
الفرق المهم هو أن الموسفيت من النوع n عبارة عن أجهزة يتم التحكم فيها بالجهد وأن الترانزستورات ثنائية القطب يتم التحكم فيها حاليًا. لذلك فهذا يعني أنه يمكن التحكم في جهد الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة من النوع n (من خلال الجهد المطبق على البوابة) ويتم تشغيل الترانزستورات ثنائية القطب بالتيار (من خلال التيار عند قاعدتها).
والفرق المهم الآخر هو أن دوائر MOSFET من النوع n سريعة بينما تكون دوائر JFET بطيئة. وبسبب هذه السرعة، تعد الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) من النوع n هي الاختيار المنطقي للدوائر التي يجب أن تحدث بالسرعة ولكن أيضًا بكفاءة ودقة، كما هو الحال داخل أجهزة الكمبيوتر والأجهزة الإلكترونية الحديثة.
نقدم للعملاء أعلى خدمات منتجات mosfet من النوع عالي الجودة وبتكلفة معقولة.
تمتلك الشركة فريقًا عاليًا من محللي mosfet من النوع n، ويمكنهم مشاركة أحدث المعلومات للمساعدة في تطوير السلسلة الصناعية.
يجيب فريق دعم Allswell Tech على أي أسئلة من نوع mosfet حول منتجات Allswell.
تم إجراء مراقبة الجودة للعملية برمتها من خلال فحوصات قبول احترافية من النوع n، وعالية الجودة.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
لا
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
