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SiC MOSFET

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SiC MOSFET

1200V 160mΩ Gen2 Automobil-SiC-MOSFET

Einführung

Herkunftsort: Zhejiang
Markenname: Inventchip Technology
Artikelnummer: IV2Q12160T4Z
Zertifizierung: AEC-Q101


Mindestbestellmenge: 450 Stk.
Preis:
Verpackungsdetails:
Lieferzeit:
Zahlungsbedingungen:
Lieferfähigkeit:


Funktionen

  • 2. Generation SiC-MOSFET-Technologie mit +18V Gatterbetrieb

  • Hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand

  • Hochgeschwindigkeitswechsel mit geringer Kapazität

  • Hohe Betriebstemperaturfähigkeit

  • Sehr schnelle und robuste interne Body-Diode

  • Kelvin-Gatter-Eingang erleichtert die Schaltungsentwicklung


ANWENDUNGEN

  • Automobil-DC/DC-Wandler

  • Bordladegeräte

  • Solarumrichter

  • Motorantriebe

  • Automobil-Kompressoreinverter

  • Schaltnetzteile


Übersicht:

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Kennzeichnungsdiagramm:

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Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol Parameter Wert Einheit Prüfbedingungen Hinweis
VDS Dreckschlepp-Spannung 1200 V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Gleichstrom) Maximale Gleichspannung -5 bis 20 V Statisch (Gleichstrom)
VGSmax (Spike) Maximale Spikespannung -10 bis 23 V Tastverhältnis <1%, und Impulsdauer <200ns
VGSon Empfohlene Einschaltspannung 18±0,5 V
VGSoff Empfohlene Ausschaltspannung -3,5 bis -2 V
Identifizierung Drehschwingung (kontinuierlich) 19 Ein VGS =18V, TC =25°C Abb. 23
14 Ein VGS =18V, TC =100°C
IDM Drehschaltstrom (gepulst) 47 Ein Pulsbreite durch SOA begrenzt Abb. 26
Ptot Gesamtleistungsverlust 136 W TC =25°C Abb. 24
Tstg Lagerungstemperaturbereich -55 bis 175 °C
Tj Betriebstemperatur der Leiterplatte -55 bis 175 °C
TL Löttemperatur 260 °C wellenlötverfahren nur an den Anschlussleitungen, 1.6mm vom Gehäuse entfernt für 10 s


Thermaldaten

Symbol Parameter Wert Einheit Hinweis
Rθ(J-C) Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse 1.1 °C/W Abb. 25


Elektrische Eigenschaften (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol Parameter Wert Einheit Prüfbedingungen Hinweis
Min. - Das ist typisch. Max.
IDSS Durchflussstrom bei null Gate-Spannung 5 100 μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Durchlässigkeit des Tores ±100 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Schrankschwellenspannung 1.8 2.8 4.5 V VGS =VDS , ID =2mA Abb. 8, 9
2.1 VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron Statische Drain-Source-Ein-Widerstand 160 208 VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C Abb. 4, 5, 6, 7
285 VGS =18V, ID =5A @TJ =175. C
Ciss Eingangskapazität 575 pF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Abb. 16
Coss Ausgangskapazität 34 pF
Crss Rückwärtsübertragungs-Kapazität 2.3 pF
Eoss Coss gespeicherte Energie 14 μJ Abb. 17
QG Gesamtgate Ladung 29 nC VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 bis 18V Abb. 18
Qgs Gitter-Quell-Ladung 6.6 nC
Qgd Gitter-Drain-Ladung 14.4 nC
Rg Gitter-Eingangswiderstand 10 ω f=1MHz
EON Einschalt-Schaltenergie 115 μJ VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =25。C Abb. 19, 20
EOFF Ausschalt-Schaltenergie 22 μJ
die Daten sind nicht verfügbar. Verzögerungszeit der Einleitung 2.5 nS
tr Aufstiegszeit 9.5
td (ausgeschaltet) Verzögerungszeit für die Abschaltung 7.3
tF Herbstzeit 11.0
EON Einschalt-Schaltenergie 194 μJ VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =175。C Abb. 22
EOFF Ausschalt-Schaltenergie 19 μJ


Rücklaufdiodencharakteristiken (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol Parameter Wert Einheit Prüfbedingungen Hinweis
Min. - Das ist typisch. Max.
VSD Diodenvorwärtsspannung 4.0 V ISD =5A, VGS =0V Abb. 10, 11, 12
3.7 V ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C
trr Rückwärts-Rückgewinnungszeit 26 nS VGS =-3,5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr Rückwärts-Rückgewinnungsladung 92 nC
IRRM Spitzenwert des Rücklaufstroms 10.6 Ein


Typische Leistung (Kurven)

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