SiC SBD

1200V 10A SiC-Schottky-Diode AC/DC-Wandler

Einführung

Herkunftsort:	Zhejiang
Markenname:	Inventchip Technology
Artikelnummer:	IV1D12010T2
Zertifizierung:

Mindestmengenverpackung:	450 Stk.
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Merkmale

Maximale Junction-Temperatur 175°C
Hohe Überspannungsfähigkeit
Null Rücklaufstrom
Null Vorwärtswiederherstellungsspannung
Hochfrequenzbetrieb
temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Positive Temperaturabhängigkeit von VF

Anwendungen

Solarstrom-Boost
Inverter Freilaufdiode
Vienna Drei-Phasen PFC
AC/DC-Wandler
Schaltnetzteile

Gliederung

Markierungsdiagramm

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit
VRRM	Umgekehrte Spannung (wiederholender Spitzenwert)	1200	V
VDC	Gleichrichtersperrespannung	1200	V
IF	Vorwärtsstrom (kontinuierlich) @Tc=25°C	30	A
	Vorwärtsstrom (kontinuierlich) @Tc=135°C	15.2	A
	Vorwärtsstrom (kontinuierlich) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Überspannung nicht wiederholender Vorwärtsstrom Sinus-Halbwelle bei Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Überspannung wiederholender Vorwärtsstrom (Frequenz=0,1Hz, 100 Zyklen) Sinus-Halbwelle bei Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Gesamtverlustleistung bei Tc=25°C	176	W
	Gesamtverlustleistung bei Tc=150°C	29
	I2t-Wert bei Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperaturbereich der Leistungsschaltung	-55 bis 175	°C

Belastungen, die die in der Tabelle der Maximalwerte aufgelisteten überschreiten, können das Gerät beschädigen. Wird eines dieser Limit-Werte überschritten, sollte keine Funktionsfähigkeit des Geräts angenommen werden, es kann Schaden entstehen und die Zuverlässigkeit kann beeinträchtigt werden.

Elektrische Eigenschaften

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VF	Durchlassspannung	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Abb. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Rückstrom	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Abb. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Gesamtkapazität	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Abb. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Qualitätskontrolle	Gesamt kapazitive Ladung	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Abb. 4
Ec	Kapazitätsgespeicherte Energie	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Abb. 5