1200V 25mohm SiC MODULE Κινητήρες μοτών

Τόπος Προέλευσης:	Zhejiang
Όνομα Εμπορικής Μάρκας:	Inventchip Technology
Αριθμός Μοντέλου:	IV1B12025HC1L
Πιστοποίηση:	AEC-Q101

Χαρακτηριστικά

• Υψηλή φραγμένη ένταση με χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης

• Γρήγορη αλλαγή με χαμηλή ικανότητα

• Υψηλή δυνατότητα λειτουργίας σε υψηλή θερμοκρασία συνδέσεως

• Πολύ γρήγορο και αξιόπιστο ενδογενές σώμα διόδου

Εφαρμογές

• Ηλιακές Εφαρμογές

• Σύστημα ups

• Οδηγοί μοτέρ

• Μετατροπείς Ύψος Τάσης DC/DC

Συσκευασία

Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία	Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VDS	Τασή Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Μέγιστη τάση συνεχούς	-5 με 22	V	Στατικό (DC)
VGSmax (Σπίκ)	Μέγιστο ηλεκτρικό υπερβολής φάσματος	-10 με 25	V	<1% κύκλος εργασίας, και πλάτος σήματος <200ns
VGSon	Συνιστώμενη θερμοκρασία ενεργοποίησης	20±0.5	V
VGSoff	Συνιστώμενη θερμοκρασία απενεργοποίησης	-3.5 μέχρι -2	V
Δ.Μ.	Ρεύμα δρενού (συνεχές)	74	Α	VGS =20V, TC =25°C
		50	Α	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Ρεύμα δρενού (διακοπτό)	185	Α	Πλάτος διαδοχικού περιορισμένο από το SOA	Σχ.26
Ptot	Συνολική διαφορά ενέργειας	250	W	ΤΚ = 25°C	Σχ.24
Tstg	Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	-40 μέχρι 150	°C
Tj	Μέγιστη εικονική θερμοκρασία κατόπιν υπό συνθήκες διακοπής	-40 μέχρι 150	°C	Λειτουργία
		-55 μέχρι 175	°C	Διαδραματικά με μειωμένη ζωή

Θερμικά δεδομένα

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία	Μονάδα	Σημείωση
Rθ(J-C)	Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη	0.5	°C/W	Σχ.25

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία			Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
IDSS	Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης		10	200	μΑ	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Ρεύμα εξαγωγής πύλης		2	±200	οΧΙ	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Κεφ.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150. C
Τράβα	Στατική οχυρό-πηγής αντίσταση		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25. C	Κεφ.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150. C
Ciss	Εισαγωγική ικανότητα		5.5		εθνική Οικονομική Χώρα	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Σχήμ.16
Coss	Έξοδος ικανότητας		285		pF
Crss	Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα		20		pF
Eoss	Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss		105		μJ		Σχήμ.17
Qg	Συνολικό φορτίο πύλης		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 με 20V	Σχήμ.18
Qgs	Φορτίο πύλης-πηγής		50		nC
Qgd	Φορτίο πύλης-διακόμβων		96		nC
Rg	Αντίσταση εισόδου πύλης		1.4		ω	f=100kHz
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 μέχρι 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Σχ.19-22
EOFF	Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης		135		μJ
td(εν)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης		15		nS
τΡ	Χρόνος ανύψωσης		4.1
td(απ)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		24
tF	Χρόνος πτώσης		17
LsCE	Αλλοτριοδύναμη ενδοφάση		8.8		επ.

Χαρακτηριστικά αντίστροφου διόδου (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία			Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
VSD	Στροφική ένταση διόδου		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Σχ.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		1068		nC
IRRM	Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		96.3		Α

Ιδιότητες Θερμοστατικού NTC

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία			Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
RNTC	Κανονική Αντίσταση		5		kΩ	TNTC =25℃	Σχ.27
δR/R	Ανερέσεις Αντοχής στα 25℃	-5		5	%
β25/50	Τιμή Beta		3380		Κ	±1%
Pmax	Δαπάνη ενέργειας		5		mw

Τυπική Απόδοση (καμπύλες)

         

Διαστάσεις Πακέτου (mm)

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ

Για περισσότερες πληροφορίες επικοινωνήστε με το Ιδιωτικό Γραφείο Πωλήσεων της IVCT.

Copyright©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Όλα τα δικαιώματα κατεχομένα.

Οι πληροφορίες αυτού του έγγραφου υπόκεινται σε αλλαγές χωρίς προειδοποίηση.

Σχετικοί Σύνδεσμοι

http://www.inventchip.com.cn