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MOSFET SiC

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MOSFET SiC automobile Gen1200, 30 V, 2 mΩ
MOSFET SiC automobile Gen1200, 30 V, 2 mΩ

MOSFET SiC automobile Gen1200, 30 V, 2 mΩ

  • Introduction

Introduction
Lieu d'origine:Zhejiang
Nom de marque:Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:IV2Q12030D7Z
Attestation:Qualifié AEC-Q101


Caractéristiques

  • Technologie SiC MOSFET de 2e génération avec commande de grille + 18 V

  • Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

  • Commutation haute vitesse avec faible capacité

  • Capacité de température de jonction élevée

  • Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste

  • Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande

Applications

  • Conducteurs de moteur

  • Onduleurs solaires

  • Convertisseurs DC/DC automobiles

  • Onduleurs de compresseur automobile

  • Alimentations à découpage


Aperçu:

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Diagramme de marquage :

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Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
SDVTension drain-source1200VVGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (DC)Tension CC maximale-5 à 20VStatique (CC)
VGSmax (Pointe)Tension de pointe maximale-10 à 23VCycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSonTension d'activation recommandée18 0.5 ±V
VGSoffTension de coupure recommandée-3.5 à -2V
IDCourant de drain (continu)79AVGS =18V, TC =25°CFig. 23
58AVGS =18V, TC =100°C
IDMCourant de drain (pulsé)198ALargeur d'impulsion limitée par SOAFig. 26
PTOTDissipation de puissance totale395WCT =25°CFig. 24
TSTGPlage de température de stockage-55 à 175° C
TJTempérature de jonction de fonctionnement-55 à 175° C
TLTempérature de soudure260° Csoudure à la vague autorisée uniquement au niveau des fils, à 1.6 mm du boîtier pendant 10 s


Données thermiques

SymboleParamètreValeurUnitéNotes
Rθ(JC)Résistance thermique de la jonction au boîtier0.38° C / WFig. 23


Caractéristiques électriques(TC = 25.C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
IDSSCourant de drain de tension de grille nulle5100AVDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSSCourant de fuite de porte± 100nAVDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTETension de seuil de porte1.82.84.5VVGS = VDS, ID = 12 mAFigures 8, 9
2.0VGS = VDS, ID = 12 mA @ TJ = 175.C
RONSource de drain statique activée - résistance3039mVGS = 18 V, ID = 30 A @TJ = 25.CFigures 4, 5, 6, 7
55mVGS = 18 V, ID = 30 A @TJ = 175.C
3647mVGS = 15 V, ID = 30 A @TJ = 25.C
58mVGS = 15 V, ID = 30 A @TJ = 175.C
CissCapacité d'entrée3000pFVDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mVFig. 16
cossCapacité de sortie140pF
CRSSCapacité de transfert inverse7.7pF
EosCoût de l'énergie stockée57µJFig. 17
QgFrais d'entrée totaux135nCVDS =800V, ID =40A, VGS =-3 à 18VFig. 18
QgsCharge porte-source36.8nC
QgdCharge porte-vidange45.3nC
RgRésistance d'entrée de porte2.3Ωf=1 MHz
EONÉnergie de commutation d'activation856.6µJVDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V,    RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。CFigures 19, 20
EOFFCouper l'énergie de commutation118.0µJ
td(on)Délai de mise en marche15.4ns
trTemps de montée24.6
td (off)Délai de désactivation28.6
tfTemps de chute13.6


Caractéristiques des diodes inverses(TC = 25.C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
VSDTension directe de la diode4.2VISD = 30A, VGS = 0VFigures 10, 11, 12
4.0VISD = 30A, VGS = 0V, TJ = 175.C
trrTemps de récupération inversé54.8nsVGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω  L=200μH di/dt=3000A/μs
QrrFrais de recouvrement inversés470.7nC
IRRMCourant de récupération inverse de pointe20.3A


Performance typique (courbes)

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PRODUIT CONNEXE