Le mofet

siC MOSFET Génération 2 pour automobile 1200V 40mΩ

Introduction

Lieu d'origine :	Shanghai
Nom de la marque :	Inventchip Technology
Numéro du modèle :	IV2Q12040T4Z
Certification :	AEC-Q101

Caractéristiques

2^ndTechnologie SiC MOSFET de génération avec
+15~+18V de tension de commande
Haute tension de blocage avec une faible résistance en marche
Commutation rapide avec une faible capacité
capacité de température de jonction de fonctionnement à 175°C
Diode intrinsèque ultra rapide et robuste
Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande
Conforme à AEC-Q101

Applications

Chargeurs EV et OBCs
Boosters solaires
Inverseurs de compresseur automobile
Alimentations en courant alternatif/direct

Le schéma:

Diagramme des marquages :

Rating absolu maximum (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	Valeur	Unité	Conditions d'essai	Remarque
VDS	Tension Drain-Source	1200	V. Le groupe	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transitoire)	Tension transitoire maximale	-10 à 23	V. Le groupe	Cycle d'occupation <1 %, et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension de mise en marche recommandée	15 à 18	V. Le groupe
VGSoff	Tension de mise hors tension recommandée	-5 à -2	V. Le groupe	Typique -3,5V
ID	Courant drain (continu)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
ID	Courant drain (continu)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Courant de drain (impulsé)	162	A	Largeur d'impulsion limitée par la SOA et Rθ(J-C) dynamique	Fig. 25, 26
ISM	Courant du diode de corps (impulsé)	162	A	Largeur d'impulsion limitée par la SOA et Rθ(J-C) dynamique	Fig. 25, 26
Ptot	Dissipation totale de puissance	375	Le	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	°C
Tj	Température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	°C
TL	Température de soudage	260	°C	soudure par vague uniquement autorisée aux pattes, 1,6 mm à partir de l'étui pendant 10 s

Données thermiques

Le symbole	Paramètre	Valeur	Unité	Remarque
Rθ(J-C)	Résistance thermique de la jonction à l'étui	0.4	°C/W	Fig. 25

Caractéristiques électriques (TC = 25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	Valeur			Unité	Conditions d'essai	Remarque
Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité	Conditions d'essai	Remarque
IDSS	Courant drain à la tension zéro de la grille		5	100	μA	VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS	Courant de fuite de grille			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tension de seuil de porte	1.8	2.8	4.5	V. Le groupe	VGS = VDS, ID = 9mA	Fig. 8, 9
VTH	Tension de seuil de porte		2.1			VGS = VDS, ID = 9mA @ TJ = 175°C	Fig. 8, 9
Ron	Résistance statique drain-source allumée		40	52	mΩ	VGS = 18V, ID = 20A @ TJ = 25°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175. C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25. C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175. C
Ciss	Capacité d'entrée		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacité de sortie		100		pF
Crss	Capacité de transfert inverse		5.8		pF
Eoss	Énergie stockée dans Coss		40		μJ		Fig. 17
Le siège	Charge totale de la grille		110		nC	VDS = 800V, ID = 30A, VGS = -3 à 18V	Fig. 18
Qgs	Charge de la porte-source		25		nC
Qgd	Charge de la porte-drain		59		nC
Rg	Résistance d'entrée de la porte		2.1		oh	f=1MHz
Eon	Énergie de commutation		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 à 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25°C	Fig. 19, 20
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		70.0		μJ
le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		9.6		n.S.
le	Il est temps de monter.		22.1
le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement		19.3
tf	Temps d'automne		10.5
Eon	Énergie de commutation		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 à 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =175°C	Fig. 22
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		73.8		μJ		Fig. 22

Caractéristiques du diode inverse (TC =25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	Valeur			Unité	Conditions d'essai	Remarque
Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité	Conditions d'essai	Remarque
VSD	Tension Directe de Diode		4.2		V. Le groupe	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tension Directe de Diode		4.0		V. Le groupe	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Fig. 10, 11, 12
Est	Courant continu du diode (direct)			63	A	VGS = -2V, TC = 25°C
Est	Courant continu du diode (direct)			36	A	VGS = -2V, TC = 100°C
le	Temps de récupération inverse		42.0		n.S.	VGS = -3.5V/+18V, ISD = 30A, VR = 800V, RG(ext) = 10Ω L = 200μH di/dt = 3000A/μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement inversés		198.1		nC
RSI	Courant de récupération inverse maximal		17.4		A