Lieu d'origine: | Shanghai |
Nom de marque: | Inventer la technologie des puces |
Numéro de modèle: | IV2Q12040T4Z |
Attestation: | AEC-Q101 |
Caractéristiques
2ndTechnologie MOSFET SiC de génération avec
Commande de portail +15~+18V
Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant
Commutation haute vitesse avec faible capacité
Capacité de température de jonction de fonctionnement à 175 °C
Diode de corps intrinsèque ultra rapide et robuste
Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande
Qualifié AEC-Q101
Applications
Chargeurs EV et OBC
Boosters solaires
Onduleurs de compresseur automobile
Alimentations CA/CC
Aperçu:
Diagramme de marquage :
Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions d'essai | Notes |
SDV | Tension drain-source | 1200 | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |
VGSmax (transitoire) | Tension transitoire maximale | -10 à 23 | V | Cycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns | |
VGSon | Tension d'activation recommandée | 15 à 18 | V | ||
VGSoff | Tension de coupure recommandée | -5 à -2 | V | Typique -3.5 V | |
ID | Courant de drain (continu) | 65 | A | VGS =18V, TC =25°C | Fig. 23 |
48 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
IDM | Courant de drain (pulsé) | 162 | A | Largeur d'impulsion limitée par SOA et Rθ(JC) dynamique | Figures 25, 26 |
ISM | Courant de diode corporelle (pulsé) | 162 | A | Largeur d'impulsion limitée par SOA et Rθ(JC) dynamique | Figures 25, 26 |
PTOT | Dissipation de puissance totale | 375 | W | CT =25°C | Fig. 24 |
TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 175 | ° C | ||
TJ | Température de jonction de fonctionnement | -55 à 175 | ° C | ||
TL | Température de soudure | 260 | ° C | soudure à la vague autorisée uniquement au niveau des fils, à 1.6 mm du boîtier pendant 10 s |
Données thermiques
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Notes |
Rθ(JC) | Résistance thermique de la jonction au boîtier | 0.4 | ° C / W | Fig. 25 |
Caractéristiques électriques (TC = 25.C sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions d'essai | Notes | ||
Min. | Taper. | Max. | |||||
IDSS | Courant de drain de tension de grille nulle | 5 | 100 | A | VDS = 1200 V, VGS = 0 V | ||
IGSS | Courant de fuite de porte | ± 100 | nA | VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V | |||
VTH CARTE | Tension de seuil de porte | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS = VDS, ID = 9 mA | Figures 8, 9 |
2.1 | VGS = VDS, ID = 9 mA @ TJ = 175.C | ||||||
RON | Source de drain statique activée - résistance | 40 | 52 | m | VGS = 18 V, ID = 20 A @TJ = 25.C | Figures 4, 5, 6, 7 | |
75 | m | VGS = 18 V, ID = 20 A @TJ = 175.C | |||||
50 | 65 | m | VGS = 15 V, ID = 20 A @TJ = 25.C | ||||
80 | m | VGS = 15 V, ID = 20 A @TJ = 175.C | |||||
Ciss | Capacité d'entrée | 2160 | pF | VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Fig. 16 | ||
coss | Capacité de sortie | 100 | pF | ||||
CRSS | Capacité de transfert inverse | 5.8 | pF | ||||
Eos | Coût de l'énergie stockée | 40 | µJ | Fig. 17 | |||
Qg | Frais d'entrée totaux | 110 | nC | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 à 18V | Fig. 18 | ||
Qgs | Charge porte-source | 25 | nC | ||||
Qgd | Charge porte-vidange | 59 | nC | ||||
Rg | Résistance d'entrée de porte | 2.1 | Ω | f=1 MHz | |||
EON | Énergie de commutation d'activation | 446.3 | µJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Figures 19, 20 | ||
EOFF | Couper l'énergie de commutation | 70.0 | µJ | ||||
td(on) | Délai de mise en marche | 9.6 | ns | ||||
tr | Temps de montée | 22.1 | |||||
td (off) | Délai de désactivation | 19.3 | |||||
tf | Temps de chute | 10.5 | |||||
EON | Énergie de commutation d'activation | 644.4 | µJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C | Fig. 22 | ||
EOFF | Couper l'énergie de commutation | 73.8 | µJ |
Caractéristiques de la diode inverse (TC = 25.C sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions d'essai | Notes | ||
Min. | Taper. | Max. | |||||
VSD | Tension directe de la diode | 4.2 | V | ISD = 20A, VGS = 0V | Figures 10, 11, 12 | ||
4.0 | V | ISD = 20A, VGS = 0V, TJ = 175.C | |||||
IS | Courant direct de diode (continu) | 63 | A | VGS =-2V, TC =25.C | |||
36 | A | VGS =-2V, TC=100.C | |||||
trr | Temps de récupération inversé | 42.0 | ns | VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
Qrr | Frais de recouvrement inversés | 198.1 | nC | ||||
IRRM | Courant de récupération inverse de pointe | 17.4 | A |
Performance typique (courbes)
Dimensions de l'emballage
Remarque:
1. Référence du colis : JEDEC TO247, variante AD
2. Toutes les dimensions sont en mm
3. Fente requise, l'encoche peut être arrondie
4. Les dimensions D&E n’incluent pas le flash de moisissure
5. Sujet à changement sans préavis