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MOSFET SiC

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MOSFET SiC automobile Gen1200, 40 V, 2 mΩ
MOSFET SiC automobile Gen1200, 40 V, 2 mΩ

MOSFET SiC automobile Gen1200, 40 V, 2 mΩ

  • Introduction

Introduction

Lieu d'origine:Shanghai
Nom de marque:Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:IV2Q12040T4Z
Attestation:AEC-Q101

Caractéristiques

  • 2ndTechnologie MOSFET SiC de génération avec

  • Commande de portail +15~+18V

  • Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

  • Commutation haute vitesse avec faible capacité

  • Capacité de température de jonction de fonctionnement à 175 °C

  • Diode de corps intrinsèque ultra rapide et robuste

  • Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande

  • Qualifié AEC-Q101

Applications

  • Chargeurs EV et OBC

  • Boosters solaires

  • Onduleurs de compresseur automobile

  • Alimentations CA/CC


Aperçu:

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Diagramme de marquage :

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Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
SDVTension drain-source1200VVGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (transitoire)Tension transitoire maximale-10 à 23VCycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSonTension d'activation recommandée15 à 18V
VGSoffTension de coupure recommandée-5 à -2VTypique -3.5 V
IDCourant de drain (continu)65AVGS =18V, TC =25°CFig. 23
48AVGS =18V, TC =100°C
IDMCourant de drain (pulsé)162ALargeur d'impulsion limitée par SOA et Rθ(JC) dynamiqueFigures 25, 26
ISMCourant de diode corporelle (pulsé)162ALargeur d'impulsion limitée par SOA et Rθ(JC) dynamiqueFigures 25, 26
PTOTDissipation de puissance totale375WCT =25°CFig. 24
TSTGPlage de température de stockage-55 à 175° C
TJTempérature de jonction de fonctionnement-55 à 175° C
TLTempérature de soudure260° Csoudure à la vague autorisée uniquement au niveau des fils, à 1.6 mm du boîtier pendant 10 s


Données thermiques

SymboleParamètreValeurUnitéNotes
Rθ(JC)Résistance thermique de la jonction au boîtier0.4° C / WFig. 25


Caractéristiques électriques (TC = 25.C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
IDSSCourant de drain de tension de grille nulle5100AVDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSSCourant de fuite de porte± 100nAVDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTETension de seuil de porte1.82.84.5VVGS = VDS, ID = 9 mAFigures 8, 9
2.1VGS = VDS, ID = 9 mA @ TJ = 175.C
RONSource de drain statique activée - résistance4052mVGS = 18 V, ID = 20 A @TJ = 25.CFigures 4, 5, 6, 7
75mVGS = 18 V, ID = 20 A @TJ = 175.C
5065mVGS = 15 V, ID = 20 A @TJ = 25.C
80mVGS = 15 V, ID = 20 A @TJ = 175.C
CissCapacité d'entrée2160pFVDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mVFig. 16
cossCapacité de sortie100pF
CRSSCapacité de transfert inverse5.8pF
EosCoût de l'énergie stockée40µJFig. 17
QgFrais d'entrée totaux110nCVDS =800V, ID =30A, VGS =-3 à 18VFig. 18
QgsCharge porte-source25nC
QgdCharge porte-vidange59nC
RgRésistance d'entrée de porte2.1Ωf=1 MHz
EONÉnergie de commutation d'activation446.3µJVDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V,    RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。CFigures 19, 20
EOFFCouper l'énergie de commutation70.0µJ
td(on)Délai de mise en marche9.6ns
trTemps de montée22.1
td (off)Délai de désactivation19.3
tfTemps de chute10.5
EONÉnergie de commutation d'activation644.4µJVDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。CFig. 22
EOFFCouper l'énergie de commutation73.8µJ


Caractéristiques de la diode inverse (TC = 25.C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
VSDTension directe de la diode4.2VISD = 20A, VGS = 0VFigures 10, 11, 12
4.0VISD = 20A, VGS = 0V, TJ = 175.C
ISCourant direct de diode (continu)63AVGS =-2V, TC =25.C
36AVGS =-2V, TC=100.C
trrTemps de récupération inversé42.0nsVGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω  L=200μH di/dt=3000A/μs
QrrFrais de recouvrement inversés198.1nC
IRRMCourant de récupération inverse de pointe17.4A


Performance typique (courbes)

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Dimensions de l'emballage

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Remarque:

1. Référence du colis : JEDEC TO247, variante AD

2. Toutes les dimensions sont en mm

3. Fente requise, l'encoche peut être arrondie

4. Les dimensions D&E n’incluent pas le flash de moisissure

5. Sujet à changement sans préavis


PRODUIT CONNEXE