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SiC SBD

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Convertisseurs AC/DC à diode Schottky SiC 1200 10 V XNUMX A
Convertisseurs AC/DC à diode Schottky SiC 1200 10 V XNUMX A

Convertisseurs AC/DC à diode Schottky SiC 1200 10 V XNUMX A

  • Introduction

Introduction

Lieu d'origine:Zhejiang
Nom de marque:Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:IV1D12010T2
Attestation:


Quantité minimale d'emballage :450PCS
Prix:
Détails de l'emballage:
Délai de livraison :
Conditions de paiement:
Capacité d'approvisionnement:



Caractéristiques

  • Température de jonction maximale 175°C

  • Capacité de courant de surtension élevée

  • Courant de récupération inverse zéro

  • Tension de récupération avant zéro

  • Fonctionnement haute fréquence

  • comportement de commutation indépendant de la température

  • Coefficient de température positif sur VF


Applications

  • Boost d’énergie solaire

  • Diodes de roue libre d'inverseur

  • Vienne PFC triphasé

  • Convertisseurs CA/CC

  • Alimentations à découpage


contour

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Schéma de marquage

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Cotes maximales absolues(Tc=25°C sauf indication contraire)


SymboleParamètreValeurUnité
VRRMTension inverse (pic répétitif)1200V
VDCTension de blocage CC1200V
IFCourant direct (continu) @Tc=25°C30A
Courant direct (continu) @Tc=135°C15.2A
Courant direct (continu) @Tc=155°C10A
FISMSurtension sinusoïdale de courant direct non répétitif demi-onde @Tc=25°C tp=10ms72A
IFRMSurtension de courant direct répétitif (Freq=0.1 Hz, 100 cycles) demi-onde sinusoïdale @Tamb =25°C tp=10 ms56A
PtotPuissance dissipée totale à Tc=25°C176W
Puissance dissipée totale à Tc=150°C29
Valeur I2t @Tc=25°C tp=10ms26A2s
TSTGPlage de température de stockage-55 à 175° C
TjPlage de température de jonction de fonctionnement-55 à 175° C


Les contraintes dépassant celles répertoriées dans le tableau des valeurs nominales maximales peuvent endommager l'appareil. Si l'une de ces limites est dépassée, la fonctionnalité de l'appareil ne doit pas être présumée, des dommages peuvent survenir et la fiabilité peut être affectée.


Caractéristiques électriques


SymboleParamètreTaper.Max.UnitéConditions d'essaiNotes
VFTension directe1.481.7VSI = 10 A TJ =25°CFig. 1
2.03.0SI = 10 A TJ =175°C
IRCourant inverse1100AVR = 1200 V TJ =25°CFig. 2
10250VR = 1200 V TJ =175°C
CCapacité totale575pFVR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHzFig. 3
59VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
42.5VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QCCharge capacitive totale62nCVR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dvFig. 4
ECCapacité d’énergie stockée16.8µJVR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdvFig. 5


Caractéristiques thermiques


SymboleParamètreTaper.UnitéNotes
Rth(jc)Résistance thermique de la jonction au boîtier0.85° C / WFig.7


Performances typiques

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Dimensions de l'emballage

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Remarque:

1. Référence du colis : JEDEC TO247, variante AD 

2. Toutes les dimensions sont en mm

3. Fente requise, l'encoche peut être arrondie ou rectangulaire 

4. Les dimensions D&E n’incluent pas le flash de moisissure

5. Sujet à changement sans préavis




PRODUIT CONNEXE