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Module en SiC

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Module en SiC

mODULE SiC 1200V 25mohm Pilotes de moteur

Introduction

Lieu d'origine : Zhejiang
Nom de la marque : Inventchip Technology
Numéro du modèle : IV1B12025HC1L
Certification : AEC-Q101


Caractéristiques

  • Haute tension de blocage avec une faible résistance en marche

  • Commutation rapide avec une faible capacité

  • Capacité de température de jonction élevée

  • Diode intrinsèque très rapide et robuste


APPLICATIONS

  • Applications solaires

  • Système d'alimentation ininterrompue (SAI)

  • Pilotes de moteur

  • Convertisseurs DC/DC haute tension


Colis

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Rating absolu maximum (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole Paramètre Valeur Unité Conditions d'essai Remarque
VDS Tension Drain-Source 1200 V. Le groupe VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (CC) Tension CC Maximale -5 à 22 V. Le groupe Statique (CC)
VGSmax (Pic) Tension de pointe maximale -10 à 25 V. Le groupe <1% cycle d'occupation, et largeur d'impulsion <200ns
VGSon Tension de mise en marche recommandée 20±0,5 V. Le groupe
VGSoff Tension de coupure recommandée -3,5 à -2 V. Le groupe
ID Courant drain (continu) 74 Une VGS = 20V, TC = 25°C
50 Une VGS = 20V, TC = 94°C
IDM Courant de drain (impulsé) 185 Une Largeur d'impulsion limitée par la SOA Fig. 26
Ptot Dissipation totale de puissance 250 Le TC =25°C Fig.24
TSTG Plage de température de stockage -40 à 150 °C
Tj Température maximale du jonction virtuelle sous conditions de commutation -40 à 150 °C Fonctionnement
-55 à 175 °C Intermittent avec une durée de vie réduite


Données thermiques

Le symbole Paramètre Valeur Unité Remarque
Rθ(J-C) Résistance thermique de la jonction à l'étui 0.5 °C/W Fig.25


Caractéristiques électriques (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole Paramétr Valeur Unité Conditions d'essai Remarque
Je ne sais pas. - Je sais. Je suis désolé.
IDSS Courant drain à la tension zéro de la grille 10 200 μA VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS Courant de fuite de grille 2 ±200 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Tension de seuil de porte 3.2 V. Le groupe VGS=VDS, ID =12mA Fig.9
2.3 VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron Résistance statique drain-source allumée 25 33 VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36 VGS = 20V, ID = 40A @ TJ = 150°C
Ciss Capacité d'entrée 5.5 nF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV Fig. 16
Coss Capacité de sortie 285 pF
Crss Capacité de transfert inverse 20 pF
Eoss Énergie stockée dans Coss 105 μJ Fig. 17
Le siège Charge totale de la grille 240 nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 à 20V Fig. 18
Qgs Charge de la porte-source 50 nC
Qgd Charge de la porte-drain 96 nC
Rg Résistance d'entrée de la porte 1.4 oh f = 100 kHz
Eon Énergie de commutation 795 μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 à 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
Je vous en prie. Énergie de commutation de débranchement 135 μJ
le numéro de téléphone Temps de retard d'activation 15 n.S.
le Il est temps de monter. 4.1
le numéro de téléphone Temps de retard de déclenchement 24
tf Temps d'automne 17
LsCE Inductivité de déplacement 8.8 nH


Caractéristiques du diode inverse (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole Paramètre Valeur Unité Conditions d'essai Remarque
Je ne sais pas. - Je sais. Je suis désolé.
VSD Tension Directe de Diode 4.9 V. Le groupe ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5 V. Le groupe ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
le Temps de récupération inverse 18 n.S. VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Je suis désolé. Frais de recouvrement inversés 1068 nC
RSI Courant de récupération inverse maximal 96.3 Une


Caractéristiques du thermistance NTC

Le symbole Paramètre Valeur Unité Conditions d'essai Remarque
Je ne sais pas. - Je sais. Je suis désolé.
RNTC Résistance nominale 5 TNTC = 25℃ Fig. 27
δR/R Tolérance de résistance à 25℃ -5 5 %
β25/50 Valeur Beta 3380 K ±1%
Pmax Dissipation de puissance 5 mW


Performance typique (courbes)

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Dimensions de l'emballage (mm)

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NOTES


Pour plus d'informations, veuillez contacter le bureau des ventes d'IVCT.

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Liens connexes


http://www.inventchip.com.cn


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