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Module SiC

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Pilotes de moteur MODULE SiC 1200V 25mohm
Pilotes de moteur MODULE SiC 1200V 25mohm

Pilotes de moteur MODULE SiC 1200V 25mohm

  • Introduction

Introduction

Lieu d'origine:Zhejiang
Nom de marque:Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:IV1B12025HC1L
Attestation:AEC-Q101


Caractéristiques

  • Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

  • Commutation haute vitesse avec faible capacité

  • Capacité de température de jonction élevée

  • Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste


Applications

  • Applications solaires

  • Système UPS

  • Conducteurs de moteur

  • Convertisseurs DC/DC haute tension


Forfait

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Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
SDVTension drain-source1200VVGS = 0 V, ID = 200 μA
VGSmax (DC)Tension CC maximale-5 à 22VStatique (CC)
VGSmax (Pointe)Tension de pointe maximale-10 à 25VCycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSonTension de mise sous tension recommandée20 0.5 ±V
VGSoffTension de coupure recommandée-3.5 à -2V
IDCourant de drain (continu)74AVGS =20V, TC =25°C
50AVGS =20V, TC =94°C
IDMCourant de drain (pulsé)185ALargeur d'impulsion limitée par SOAFig.26
PTOTDissipation de puissance totale250WCT =25°CFig.24
TSTGPlage de température de stockage-40 à 150° C
TJTempérature maximale de jonction virtuelle dans des conditions de commutation-40 à 150° COpération
-55 à 175° CIntermittent avec durée de vie réduite


Données thermiques

SymboleParamètreValeurUnitéNotes
Rθ(JC)Résistance thermique de la jonction au boîtier0.5° C / WFig.25


Caractéristiques électriques(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
IDSSCourant de drain de tension de grille nulle10200AVDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSSCourant de fuite de porte2± 200nAVDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTETension de seuil de porte3.2VVGS = VDS, ID = 12 mAFig.9
2.3VGS = VDS, ID = 12 mA @ TC = 150.C
RONSource de drain statique activée - résistance2533mVGS = 20 V, ID = 40 A @TJ = 25.C4-7
36mVGS = 20 V, ID = 40 A @TJ = 150.C
CissCapacité d'entrée5.5nFVDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 100 kHz, VCA = 25 mVFig.16
cossCapacité de sortie285pF
CRSSCapacité de transfert inverse20pF
EosCoût de l'énergie stockée105µJFig.17
QgFrais d'entrée totaux240nCVDS =800V, ID =40A, VGS =-5 à 20VFig.18
QgsCharge porte-source50nC
QgdCharge porte-vidange96nC
RgRésistance d'entrée de porte1.4Ωf=100 kHz
EONÉnergie de commutation d'activation795µJVDS =600V, ID =50A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH19-22
EOFFCouper l'énergie de commutation135µJ
td(on)Délai de mise en marche15ns
trTemps de montée4.1
td (off)Délai de désactivation24
tfTemps de chute17
LsCEInductance parasite8.8nH


Caractéristiques des diodes inverses(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
VSDTension directe de la diode4.9VISD = 40A, VGS = 0VFig.10-12
4.5VISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trrTemps de récupération inversé18nsVGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
QrrFrais de recouvrement inversés1068nC
IRRMCourant de récupération inverse de pointe96.3A


Caractéristiques de la thermistance NTC

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
RNTCRésistance nominale5kQTNTC = 25 ℃Fig.27
ΔR/RTolérance de résistance à 25℃-55%
β25/50Valeur bêta3380K± 1%
PmaxDissipation de puissance5mW


Performance typique (courbes)

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Dimensions du colis (mm)

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Remarques


Pour plus d'informations, veuillez contacter le bureau commercial d'IVCT.

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