MOSFET SiC automobile Gen650, 25 V, 2 mΩ

Lieu d'origine:	Zhejiang
Nom de marque:	Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:	IV2Q06025T4Z
Attestation:	AEC-Q101

Caractéristiques

Applications

Aperçu:

Diagramme de marquage :

Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité	Conditions d'essai	Notes
SDV	Tension drain-source	650	V	VGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (DC)	Tension CC maximale	-5 à 20	V	Statique (CC)
VGSmax (Pointe)	Tension de pointe maximale	-10 à 23	V	Cycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension d'activation recommandée	18 0.5 ±	V
VGSoff	Tension de coupure recommandée	-3.5 à -2	V
ID	Courant de drain (continu)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Courant de drain (pulsé)	247	A	Largeur d'impulsion limitée par SOA	Fig. 26
PTOT	Dissipation de puissance totale	454	W	CT =25°C	Fig. 24
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	° C
TJ	Température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	° C
TL	Température de soudure	260	° C	soudure à la vague autorisée uniquement au niveau des fils, à 1.6 mm du boîtier pendant 10 s

Données thermiques

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité	Notes
Rθ(JC)	Résistance thermique de la jonction au boîtier	0.33	° C / W	Fig. 25

Caractéristiques électriques(TC = 25.C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur			Unité	Conditions d'essai	Notes
Symbole	Paramètre	Min.	Taper.	Max.	Unité	Conditions d'essai	Notes
IDSS	Courant de drain de tension de grille nulle		3	100	A	VDS = 650 V, VGS = 0 V
IGSS	Courant de fuite de porte			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTE	Tension de seuil de porte	1.8	2.8	4.5	V	VGS = VDS, ID = 12 mA	Figures 8, 9
VTH CARTE	Tension de seuil de porte		2.0			VGS = VDS, ID = 12 mA @ TJ = 175.C	Figures 8, 9
RON	Résistance statique drain-source		25	33	m	VGS = 18 V, ID = 40 A @TJ = 25.C	Figures 4, 5, 6, 7
RON	Résistance statique drain-source		38		m	VGS = 18 V, ID = 40 A @TJ = 175.C	Figures 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacité d'entrée		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
coss	Capacité de sortie		251		pF
CRSS	Capacité de transfert inverse		19		pF
Eos	Coût de l'énergie stockée		52		µJ		Fig. 17
Qg	Frais d'entrée totaux		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 à 18V	Fig. 18
Qgs	Charge porte-source		35.7		nC
Qgd	Charge porte-vidange		38.5		nC
Rg	Résistance d'entrée de porte		1.5		Ω	f=1 MHz
EON	Énergie de commutation d'activation		218.8		µJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figures 19, 20
EOFF	Couper l'énergie de commutation		95.0		µJ
td(on)	Délai de mise en marche		12.9		ns
tr	Temps de montée		26.5
td (off)	Délai de désactivation		23.2
tf	Temps de chute		11.7
EON	Énergie de commutation d'activation		248.5		µJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Couper l'énergie de commutation		99.7		µJ		Fig. 22

Caractéristiques des diodes inverses(TC = 25.C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur			Unité	Conditions d'essai	Notes
Symbole	Paramètre	Min.	Taper.	Max.	Unité	Conditions d'essai	Notes
VSD	Tension directe de la diode		3.7		V	ISD = 20A, VGS = 0V	Figures 10, 11, 12
VSD	Tension directe de la diode		3.5		V	ISD = 20A, VGS = 0V, TJ = 175.C	Figures 10, 11, 12
trr	Temps de récupération inversé		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Frais de recouvrement inversés		195.3		nC
IRRM	Courant de récupération inverse de pointe		20.2		A