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Mosfet sic 1200 V

L'électronique de puissance est toujours à la recherche de technologies plus efficaces et croyez-moi, ce monde de systèmes électriques n'en a jamais assez. Un MOSFET SiC BIC 1200 XNUMX volts a ouvert la voie à ce qui est sans doute le développement le plus révolutionnaire en matière d'électronique de puissance. Il existe de nombreux contre-exemples de ce type. Les avantages de ces nouveaux MOSFET SiC par rapport aux commutateurs IGBT/MOS classiques à base de silicium (Si) comprennent des tensions nominales plus élevées ; commutation plus rapide et pertes de commutation réduites.

Révolutionner l'électronique de puissance avec les MOSFET SiC 1200 XNUMX V

Comme déjà mentionné, le principal avantage des MOSFET SiC 1200 1200 V par rapport au silicium (Si) traditionnel réside dans ses capacités de tension plus élevées. Ces nouveaux MOSFET peuvent gérer des tensions allant jusqu'à 600 XNUMX V, ce qui est beaucoup plus élevé que la limite conventionnelle d'environ XNUMX V pour les MOSFET au silicium et donc- appelés dispositifs à superjonction. Il s'agit d'une caractéristique pertinente pour les applications haute tension telles que les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les alimentations industrielles.

Les MOSFET SiC 1200 XNUMX V ont des capacités de tension plus élevées et des vitesses de commutation plus rapides. Cela leur permet de s'allumer et de s'éteindre beaucoup plus rapidement, ce qui équivaut à une plus grande efficacité ainsi qu'à des pertes de puissance réduites. De plus, les MOSFET SiC ont une résistance à l'état passant inférieure à celle des FET de puissance à base de silicium, ce qui contribue également à réduire l'efficacité de la conversion DC/AC.

Pourquoi choisir Allswell 1200 V sic mosfet ?

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En conclusion

En résumé, l’émergence des MOSFET SiC 1200 50 V change la donne dans le domaine de l’électronique de puissance et conduit à une efficacité, une fiabilité et un système miniaturisé sans précédent. Leurs applications sont très répandues, allant par exemple de la révolution de l’énergie verte à l’industrie automobile et aux avancées technologiques de pointe. Cela est de bon augure pour l'avenir de la technologie MOSFET au carbure de silicium (SiC) qui continuera à repousser les limites et dont l'utilisation sera véritablement transformatrice alors que nous regardons le monde dans XNUMX ans à partir d'ici.

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