Toutes les catégories
CONTACTEZ-NOUS
Module SiC

Accueil /  Produits /  Module SiC

IV1B12013HA1L – MODULE SiC 1200V 13mohm Solaire
IV1B12013HA1L – MODULE SiC 1200V 13mohm Solaire

IV1B12013HA1L – MODULE SiC 1200V 13mohm Solaire

  • Introduction

Introduction

Lieu d'origine:Zhejiang
Nom de marque:Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:IV1B12013HA1L
Attestation:AEC-Q101


Caractéristiques

  • Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

  • Commutation haute vitesse avec faible capacité

  • Capacité de température de jonction élevée

  • Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste


Applications

  • Applications solaires

  • Système UPS

  • Conducteurs de moteur

  • Convertisseurs DC/DC haute tension


Forfait

image


Schéma de marquage

image


Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)


SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
SDVTension drain-source1200V
VGSmax (DC)Tension CC maximale-5 à 22VStatique (CC)
VGSmax (Pointe)Tension de pointe maximale-10 à 25VCycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSonTension de mise sous tension recommandée20 0.5 ±V
VGSoffTension de coupure recommandée-3.5 à -2V
IDCourant de drain (continu)96AVGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
102AVGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDMCourant de drain (pulsé)204ALargeur d'impulsion limitée par SOAFig.26
PTOTDissipation de puissance totale210WTVj≤150℃Fig.24
TSTGPlage de température de stockage-40 à 150° C
TJTempérature maximale de jonction virtuelle dans des conditions de commutation-40 à 150° COpération
-55 à 175° CIntermittent avec durée de vie réduite


Données thermiques

SymboleParamètreValeurUnitéNotes
Rθ(JH)Résistance thermique de la jonction au dissipateur thermique0.596° C / WFig.25


Caractéristiques électriques(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
IDSSCourant de drain de tension de grille nulle10200AVDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSSCourant de fuite de porte± 200nAVDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTETension de seuil de porte1.83.25VVGS = VDS, ID = 24 mAFig.9
2.3VGS = VDS, ID = 24 mA @ TC = 150.C
RONRésistance statique drain-source12.516.3mVGS = 20 V, ID = 80 A @TJ = 25.C4-7
18mVGS = 20 V, ID = 80 A @TJ = 150.C
CissCapacité d'entrée11nFVDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 100 kHz, VCA = 25 mVFig.16
cossCapacité de sortie507pF
CRSSCapacité de transfert inverse31pF
EosCoût de l'énergie stockée203µJFig.17
QgFrais d'entrée totaux480nCVDS =800V, ID =80A, VGS =-5 à 20VFig.18
QgsCharge porte-source100nC
QgdCharge porte-vidange192nC
RgRésistance d'entrée de porte1.0Ωf=100 kHz
EONÉnergie de commutation d'activation783µJVDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH19-22
EOFFCouper l'énergie de commutation182µJ
td(on)Délai de mise en marche30ns
trTemps de montée5.9
td (off)Délai de désactivation37
tfTemps de chute21
LsCEInductance parasite7.6nH


Caractéristiques des diodes inverses(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
VSDTension directe de la diode4.9VISD = 80A, VGS = 0VFig.10-12
4.5VISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trrTemps de récupération inversé17.4nsVGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH

Qrr

Frais de recouvrement inversés1095nC
IRRMCourant de récupération inverse de pointe114A


Caractéristiques de la thermistance NTC

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
RNTCRésistance nominale5kQTNTC = 25 ℃Fig.27
ΔR/RTolérance de résistance à 25℃-55%
β25/50Valeur bêta3380K± 1%
PmaxDissipation de puissance5mW


Performance typique (courbes)

image


image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Dimensions du colis (mm)

image

PRODUIT CONNEXE