1200V 25mohm SiC MODUL Motorvezérlők

Származási hely:	Zhejiang
Márkaneve:	Inventchip Technology
Modell száma:	IV1B12025HC1L
Tanúsítvány:	AEC-Q101

Jellemzők

• Magas blokkoló feszültség alacsony bekapcsolt ellenállással

• Magas sebességű kapcsolás alacsony kapacitással

• Magas működési csatkapocs hőmérsékleti képesség

• Nagyon gyors és robust belső testdiód

Alkalmazások

• Naplóenergia-alkalmazások

• Ups rendszer

• Motor meghajtók

• Magas feszültségű DC/DC átalakítók

Csomagolás

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VDS	Dren-Sz supply feszültség	1200	V.	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Maximális DC feszültség	-5 to 22	V.	Statikus (DC)
VGSmax (Spik)	Maximális csücsfeszültség	-10 to 25	V.	<1% munkaarány, és impulzus szélesség<200ns
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	20±0.5	V.
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-3.5 to -2	V.
ID	Folyamatos áram (folyamatos)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Csatott áram (impulzus)	185	A	Impulzus szélesség a SOA-től függ	Ábr.26
Ptot	Összes teljesítményveszteség	250	W	TC =25°C	Ábr.24
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 to 150	°C
Tj	Maximális virtuális csatlakozási hőmérséklet kapcsolási feltételek között	-40 to 150	°C	Működés
		-55 to 175	°C	Köztes időszakonként a élettartam csökkentve

Hőmérsékleti adatok

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	Megjegyzés
Rθ(J-C)	Hőellenállás a csatolástól a fedélzéhez	0.5	°C/W	Ábr.25

Elektromos jellemzők (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
IDSS	Nulla kapu feszültségű drain áram		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	A kapu szivárgási áram		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség		3.2		V.	VGS=VDS , ID =12mA	Ábr.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Statikus forráshoz-visszavezetési bekapcsolási ellenállás		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25.°C	Ábra 4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150.°C
Ciss	Bevezető kapacitás		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Ábra 16
Coss	Kibocsátási kapacitás		285		pF
Crss	Visszafordító kapacitás		20		pF
Eoss	Coss tárolt energia		105		μJ		Ábra 17
Qg	Teljes kapcsoló töltés		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 to 20V	Ábra 18
Qgs	Csapó-forrás töltés		50		nC
Qgd	Csapó-drain töltés		96		nC
Rg	Csapó bemeneti ellenállás		1.4		ó	f=100kHZ
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Ábr.19-22
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		135		μJ
tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		15		cs
tr	Felemelkedési idő		4.1
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő		24
tf	Őszidő		17
LsCE	Sétáló induktancia		8.8		nH

Fordított dió jellemzők (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
VSD	Diódás előrehajtás		4.9		V.	ISD =40A, VGS =0V	Ábr.10-12
			4.5		V.	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Visszafelé Helyreállító Idő		18		cs	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Visszafelé Helyreállító Töltés		1068		nC
IRRM	Csúcsos fordított helyreálló áram		96.3		A

NTC Termisztor Jellemzők

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
RNTC	Névleges ellenállás		5		kΩ	TNTC =25℃	Ábr.27
δR/R	Tűrés ellenállás 25℃-nél	-5		5	%
β25/50	Beta Érték		3380		K	±1%
Pmax	Tápegység kiesztetése		5		mW

Tipikus teljesítmény (görbék)

         

Csomag méretei (mm)

Megjegyzések

További információkért kérjük, vegye fel a kapcsolatot az IVCT Értékesítési Irodaival.

Copyright©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Minden jog fenntartva.

Ebben a dokumentumban szereplő információk bármikor változhatnak, értesítés nélkül.

Kapcsolódó Hivatkozások

http://www.inventchip.com.cn