650V 25mΩ Gen2 Autó SiC MOSFET

Jellemzők

Alkalmazások

Vázlat:

Jelölési diagram:

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VDS	Dren-Sz supply feszültség	650	V.	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximális DC feszültség	-5 to 20	V.	Statikus (DC)
VGSmax (Spik)	Maximális csücsfeszültség	-10 to 23	V.	Töltési arány<1%, és impulzus szélesség<200ns
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	18±0.5	V.
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-3.5 to -2	V.
ID	Folyamatos áram (folyamatos)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Ábr. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Csatott áram (impulzus)	247	A	Impulzus szélesség a SOA-től függ	Ábra 26
Ptot	Összes teljesítményveszteség	454	W	TC =25°C	Ábr. 24
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-55 to 175	°C
Tj	Működési csomóponti hőmérséklet	-55 to 175	°C
TL	Sövődési hőmérséklet	260	°C	csak vezetéken engedélyezett hullámös sövő, 1.6mm a fedélztől 10 másodpercig

Hőmérsékleti adatok

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	Megjegyzés
Rθ(J-C)	Hőellenállás a csatolástól a fedélzéhez	0.33	°C/W	Ábra 25

Elektromos jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
IDSS	Nulla kapu feszültségű drain áram		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	A kapu szivárgási áram			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség	1.8	2.8	4.5	V.	VGS=VDS , ID =12mA	Ábra 8, 9
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Ábra 8, 9
Ron	Statikus drain-forrás köztes bekapcsolt ellenállás		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25.°C	Ábra 4, 5, 6, 7
Ron	Statikus drain-forrás köztes bekapcsolt ellenállás		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175.°C	Ábra 4, 5, 6, 7
Ciss	Bevezető kapacitás		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Ábra 16
Coss	Kibocsátási kapacitás		251		pF
Crss	Visszafordító kapacitás		19		pF
Eoss	Coss tárolt energia		52		μJ		Ábra 17
Qg	Teljes kapcsoló töltés		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 to 18V	Ábr. 18
Qgs	Csapó-forrás töltés		35.7		nC
Qgd	Csapó-drain töltés		38.5		nC
Rg	Csapó bemeneti ellenállás		1.5		ó	f=1MHz
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3,5 to 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25°C	Ábr. 19, 20
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		95.0		μJ
tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		12.9		cs
tr	Felemelkedési idő		26.5
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő		23.2
tf	Őszidő		11.7
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175. C	Ábr. 22
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		99.7		μJ		Ábr. 22

Fordított dió jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VSD	Diódás előrehajtás		3.7		V.	ISD =20A, VGS =0V	Ábr. 10, 11, 12
VSD	Diódás előrehajtás		3.5		V.	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175. C	Ábr. 10, 11, 12
trr	Visszafelé Helyreállító Idő		32		cs	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Visszafelé Helyreállító Töltés		195.3		nC
IRRM	Csúcsos fordított helyreálló áram		20.2		A