IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Naptárgép

Származási hely:	Zhejiang
Márkaneve:	Inventchip Technology
Modell száma:	IV1B12013HA1L
Tanúsítvány:	AEC-Q101

Jellemzők

• Magas blokkoló feszültség alacsony bekapcsolt ellenállással

• Magas sebességű kapcsolás alacsony kapacitással

• Magas működési csatkapocs hőmérsékleti képesség

• Nagyon gyors és robust belső testdiód

Alkalmazások

• Naplóenergia-alkalmazások

• Ups rendszer

• Motor meghajtók

• Magas feszültségű DC/DC átalakítók

Csomagolás

Jelölési diagram

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VDS	Dren-Sz supply feszültség	1200	V.
VGSmax (DC)	Maximális DC feszültség	-5 to 22	V.	Statikus (DC)
VGSmax (Spik)	Maximális csücsfeszültség	-10 to 25	V.	<1% munkaarány, és impulzus szélesség<200ns
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	20±0.5	V.
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-3.5 to -2	V.
ID	Folyamatos áram (folyamatos)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Csatott áram (impulzus)	204	A	Impulzus szélesség a SOA-től függ	Ábr.26
Ptot	Összes teljesítményveszteség	210	W	Tvj≤150℃	Ábr.24
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 to 150	°C
Tj	Maximális virtuális csatlakozási hőmérséklet kapcsolási feltételek között	-40 to 150	°C	Működés
		-55 to 175	°C	Köztes időszakonként a élettartam csökkentve

Hőmérsékleti adatok

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	Megjegyzés
Rθ(J-H)	Hőellenállás a csatolástól a hőszivattyúig	0.596	°C/W	Ábr.25

Elektromos jellemzők (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
IDSS	Nulla kapu feszültségű drain áram		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	A kapu szivárgási áram			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség	1.8	3.2	5	V.	VGS=VDS , ID =24mA	Ábr.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statikus drain-forrás köztes bekapcsolt ellenállás		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Ábra 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Bevezető kapacitás		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Ábra 16
Coss	Kibocsátási kapacitás		507		pF
Crss	Visszafordító kapacitás		31		pF
Eoss	Coss tárolt energia		203		μJ		Ábra 17
Qg	Teljes kapcsoló töltés		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 to 20V	Ábra 18
Qgs	Csapó-forrás töltés		100		nC
Qgd	Csapó-drain töltés		192		nC
Rg	Csapó bemeneti ellenállás		1.0		ó	f=100kHZ
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Ábr.19-22
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		182		μJ
tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		30		cs
tr	Felemelkedési idő		5.9
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő		37
tf	Őszidő		21
LsCE	Sétáló induktancia		7.6		nH

Fordított dió jellemzők (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
VSD	Diódás előrehajtás		4.9		V.	ISD =80A, VGS =0V	Ábr.10-12
			4.5		V.	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Visszafelé Helyreállító Idő		17.4		cs	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Visszafelé Helyreállító Töltés		1095		nC
IRRM	Csúcsos fordított helyreálló áram		114		A

NTC Termisztor Jellemzők

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
RNTC	Névleges ellenállás		5		kΩ	TNTC =25℃	Ábr.27
δR/R	Tűrés ellenállás 25℃-nél	-5		5	%
β25/50	Beta Érték		3380		K	±1%
Pmax	Tápegység kiesztetése		5		mW

Tipikus teljesítmény (görbék)

         

Csomag méretei (mm)