IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Surya

Tempat Asal:	Zhejiang
Nama Merek:	Inventchip Technology
Nomor Model:	IV1B12013HA1L
Sertifikasi:	AEC-Q101

Fitur

• Tegangan blokir tinggi dengan hambatan hidup rendah

• Pengalihan cepat dengan kapasitansi rendah

• Kemampuan suhu sambungan operasional tinggi

• Dioda tubuh intrinsik yang sangat cepat dan kokoh

Aplikasi

• Aplikasi Tenaga Surya

• Sistem UPS

• Pengemudi Motor

• Konverter DC/DC tegangan tinggi

Paket

Diagram Tanda

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Kondisi pengujian	Catatan
VDS	Tegangan Drain-Source	1200	V
VGSmax (DC)	Tegangan DC Maksimum	-5 hingga 22	V	Statis (DC)
VGSmax (Pancaran)	Tegangan puncak maksimum	-10 hingga 25	V	<1% siklus kerja, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Tegangan nyalakan yang direkomendasikan	20±0.5	V
VGSoff	Tegangan mati yang direkomendasikan	-3.5 hingga -2	V
Id	Arus drain (kontinu)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Arus drain (berdenyut)	204	A	Lebar pulsa dibatasi oleh SOA	Gambar 26
Ptot	Total dissipasi daya	210	W	Tvj≤150℃	Gambar 24
TSTG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga 150	°C
Tj	Suhu maksimum virtual junction dalam kondisi switching	-40 hingga 150	°C	Operasi
		-55 hingga 175	°C	Intermiten dengan umur yang berkurang

Data termal

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Catatan
Rθ(J-H)	Hambatan Termal dari Sambungan ke Penyerap Panas	0.596	°C/W	Gambar 25

Karakteristik Listrik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Kondisi pengujian	Catatan
		Min.	- Tempel.	Maks.
IDSS	Arus drain pada tegangan gerbang nol		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Listrik kebocoran gerbang			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tegangan ambang gerbang	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Gambar 9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Hambatan statis drain-sumber saat menyala		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Gambar 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Kapasitas input		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Gambar 16
Coss	Kapasitansi Output		507		pF
Crss	Kapasitas transfer terbalik		31		pF
Eoss	Energi tersimpan Coss		203		μJ		Gambar.17
Qg	Muatan gerbang total		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 hingga 20V	Gambar.18
Qgs	Muatan gate-source		100		nC
Qgd	Muatan gate-drain		192		nC
Rg	Hambatan input gate		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 hingga 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Gambar.19-22
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		182		μJ
td (on)	Waktu penundaan menyala		30		n
tr	Waktu naik		5.9
td (off)	Waktu penundaan pemutus		37
tF	Waktu musim gugur		21
LsCE	Induktansi Sisa		7.6		nH

Karakteristik Dioda Balik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Kondisi pengujian	Catatan
		Min.	- Tempel.	Maks.
VSD	Tegangan dioda ke depan		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Gambar.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Waktu Pemulihan Kembali		17.4		n	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Biaya Pemulihan Kembali		1095		nC
IRRM	Arus pulsa balik pemulihan maksimum		114		A

Karakteristik Termistor NTC

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Kondisi pengujian	Catatan
		Min.	- Tempel.	Maks.
RNTC	Rentang Rating		5		kΩ	TNTC =25℃	Gambar.27
δR/R	Toleransi Hambatan pada 25℃	-5		5	%
β25/50	Nilai Beta		3380		K	±1%
Pmax	Disipasi Daya		5		mW

Kinerja Tipikal (kurva)

         

Dimensi Kemasan (mm)