modulo SiC 1200V 25mohm Driver motori

Luogo di Origine:	Zhejiang
Nome del Marchio:	Inventchip Technology
Numero di Modello:	IV1B12025HC1L
Certificazione:	AEC-Q101

Caratteristiche

• Alta tensione di blocco con bassa resistenza accesa

• Alta velocità di commutazione con bassa capacitanza

• Elevata capacità di temperatura di giunzione operativa

• Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Applicazioni

• Applicazioni solari

• Sistema ups

• Driver per motori

• Convertitori DC/DC ad alta tensione

Imballaggio

Valori di rating massimi assoluti (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	Valore	Unità	Condizioni di prova	Nota
VDS	Tensione Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (CC)	Tensione massima in corrente continua	-5 a 22	V	Statico (CC)
VGSmax (Picco)	Massima tensione a picco	-10 a 25	V	<1% ciclo di lavoro, e larghezza del pulsante<200ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	20±0.5	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	-3.5 a -2	V
ID	Corrente al draino (continua)	74	A	VGS = 20V, TC = 25°C
		50	A	VGS = 20V, TC = 94°C
IDM	Corrente del drain (a impulsi)	185	A	Larghezza dell'impulso limitata da SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipazione totale di potenza	250	W	TC =25°C	Fig.24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a 150	°C
Tj	Temperatura massima del giunzione virtuale in condizioni di commutazione	-40 a 150	°C	Operazione
		-55 a 175	°C	Intermittente con vita ridotta

Dati termici

Il simbolo	Parametro	Valore	Unità	Nota
Rθ(J-C)	Resistenza termica dal giunzione al caso	0.5	°C/W	Fig.25

Caratteristiche Elettriche (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
IDSS	Corrente del draino a tensione zero della griglia		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente di perdita di portata		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensione di soglia di ingresso		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Resistenza statica di drenaggio-origine accesa		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25°C	Fig.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150°C
Ciss	Capacità di ingresso		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacità di uscita		285		pF
Crss	Capacità di trasferimento inverso		20		pF
Eoss	Energia immagazzinata in Coss		105		μJ		Fig.17
CdG	Carica totale del gate		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 a 20V	Fig.18
Qgs	Carica gate-source		50		nC
Qgd	Carica gate-drain		96		nC
Rg	Resistenza di ingresso gate		1.4		ω	f=100kHz
EON	Accensione di energia di commutazione		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 a 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Disattivazione Energia di commutazione		135		μJ
td (in)	Tempo di ritardo di accensione		15		nS
tr	Tempo di risalita		4.1
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento		24
tF	Tempo di caduta		17
LsCE	Induttanza di deflusso		8.8		nH

Caratteristiche del Diode Inverso (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
VSD	Tensione di diodo in avanti		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Tempo di recupero inverso		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Importo di recupero inverso		1068		nC
IRRM	Corrente di recupero inversa di picco		96.3		A

Caratteristiche del Termistore NTC

Il simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
RNTC	Resistenza Nominale		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Tolleranza di Resistenza a 25℃	-5		5	%
β25/50	Valore Beta		3380		K	±1%
Pmax	Dissipazione di Potenza		5		mW

Prestazioni Tipiche (curve)

         

Dimensioni del Componente (mm)

NOTE

Per ulteriori informazioni, si prega di contattare l'ufficio vendite di IVCT.

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