IV1B12013HA1L – Modulo SiC 1200V 13mohm Solare

Luogo di Origine:	Zhejiang
Nome del Marchio:	Inventchip Technology
Numero di Modello:	IV1B12013HA1L
Certificazione:	AEC-Q101

Caratteristiche

• Alta tensione di blocco con bassa resistenza accesa

• Alta velocità di commutazione con bassa capacitanza

• Elevata capacità di temperatura di giunzione operativa

• Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Applicazioni

• Applicazioni solari

• Sistema ups

• Driver per motori

• Convertitori DC/DC ad alta tensione

Imballaggio

Diagramma di Marcatura

Valori di rating massimi assoluti (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	Valore	Unità	Condizioni di prova	Nota
VDS	Tensione Drain-Source	1200	V
VGSmax (CC)	Tensione massima in corrente continua	-5 a 22	V	Statico (CC)
VGSmax (Picco)	Massima tensione a picco	-10 a 25	V	<1% ciclo di lavoro, e larghezza del pulsante<200ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	20±0.5	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	-3.5 a -2	V
ID	Corrente al draino (continua)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Corrente del drain (a impulsi)	204	A	Larghezza dell'impulso limitata da SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipazione totale di potenza	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a 150	°C
Tj	Temperatura massima del giunzione virtuale in condizioni di commutazione	-40 a 150	°C	Operazione
		-55 a 175	°C	Intermittente con vita ridotta

Dati termici

Il simbolo	Parametro	Valore	Unità	Nota
Rθ(J-H)	Resistenza termica dal giunzione al dissipatore di calore	0.596	°C/W	Fig.25

Caratteristiche Elettriche (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
IDSS	Corrente del draino a tensione zero della griglia		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente di perdita di portata			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensione di soglia di ingresso	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Resistenza di conduzione drain-source statica		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150°C
Ciss	Capacità di ingresso		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacità di uscita		507		pF
Crss	Capacità di trasferimento inverso		31		pF
Eoss	Energia immagazzinata in Coss		203		μJ		Fig.17
CdG	Carica totale del gate		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 a 20V	Fig.18
Qgs	Carica gate-source		100		nC
Qgd	Carica gate-drain		192		nC
Rg	Resistenza di ingresso gate		1.0		ω	f=100kHz
EON	Accensione di energia di commutazione		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 a 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Disattivazione Energia di commutazione		182		μJ
td (in)	Tempo di ritardo di accensione		30		nS
tr	Tempo di risalita		5.9
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento		37
tF	Tempo di caduta		21
LsCE	Induttanza di deflusso		7.6		nH

Caratteristiche del Diode Inverso (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
VSD	Tensione di diodo in avanti		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Tempo di recupero inverso		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Importo di recupero inverso		1095		nC
IRRM	Corrente di recupero inversa di picco		114		A

Caratteristiche del Termistore NTC

Il simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
RNTC	Resistenza Nominale		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Tolleranza di Resistenza a 25℃	-5		5	%
β25/50	Valore Beta		3380		K	±1%
Pmax	Dissipazione di Potenza		5		mW

Prestazioni Tipiche (curve)

         

Dimensioni del Componente (mm)