1200V 25mohm SiC モジュールモータードライバ

特徴

アプリケーション

パッケージ

絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)

熱データ

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	注記
Rθ(J-C)	接合部からケースまでの熱抵抗	0.5	°C/W	図25

電気的特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
		分。	タイプする	マックス。
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		10	200	微分数	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	ゲート漏れ電流		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5～20V
VTH	ゲート限界電圧		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	図9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
ロン	静的なドレイン・ソース間オン抵抗		25	33	mΩ	VGS =20V、ID =40A @TJ =25℃	図4-7
			36		mΩ	VGS =20V、ID =40A @TJ =150℃
Ciss	入力容量		5.5		ロープ	VDS=800V、VGS =0V、f=100kHz、VAC =25mV	図16
Coss	輸出容量		285		pF
Crss	逆転移容量		20		pF
Eoss	Cossに蓄えられたエネルギー		105		μJ		図17
司令部	総ゲート電荷		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5から20V	図18
Qgs	ゲート-ソース充電量		50		nC
Qgd	ゲート-ドレイン充電量		96		nC
Rg	ゲート入力抵抗		1.4		ω	f=100kHz
エオン	オンスイッチングエネルギー		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5〜20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	図19-22
オーフ	オフスイッチングエネルギー		135		μJ
オン (オン)	オンする遅延時間		15		nS
について	昇る時間		4.1
消して	オフ遅延時間		24
tF	秋の時間		17
LsCE	流れる誘導力		8.8		nH

逆ダイオード特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット	試験条件	注記
VSD	ダイオード前向き電圧		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	図10-12
VSD	ダイオード前向き電圧		4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C	図10-12
trr	逆回復時間		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	逆回復電荷		1068		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		96.3		A について

NTCサーミスタ特性