IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC モジュール 太陽光

原産地：	浙江
ブランド名：	Inventchip Technology
型番：	IV1B12013HA1L
認証：	AEC-Q101

特徴

• 高いブロック電圧と低いオン抵抗

• 低容量による高速スイッチング

• 高い接合温度動作能力

• 非常に高速で堅牢なインヒンティブダイオード

アプリケーション

• 太陽光発電アプリケーション

• UPSシステム

• 自動車運転手

• 高電圧 DC/DC コンバーター

パッケージ

マーク図

絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	試験条件	注記
VDS	ドレイン-ソース間電圧	1200	V
VGSmax (DC)	最大DC電圧	-5から22	V	静的 (DC)
VGSmax (スパイク)	最大スパイク電圧	-10から25	V	<1%の占空比、かつパルス幅<200ns
VGSon	推奨されるオン電圧	20±0.5	V
VGSoff	推奨するオフ電圧	-3.5 から -2	V
Id	ドレイン電流（連続）	96	A について	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A について	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	ドレイン電流（パルス）	204	A について	SOAによってパルス幅が制限される	図26
Ptot	総電力損失	210	W について	Tvj≤150℃	図24
ターゲット・ストーブ	保管温度範囲	-40から150	°C
Tj	スイッチング条件における最大仮想結温	-40から150	°C	操作
		-55から175	°C	寿命が短縮される間欠運転

熱データ

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	注記
Rθ(J-H)	接合部からヒートシンクへの熱抵抗	0.596	°C/W	図25

電気的特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
		分。	タイプする	マックス。
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		10	200	微分数	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	ゲート漏れ電流			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5～20V
VTH	ゲート 限界電圧	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	図9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150℃
ロン	静的なドレイン・ソースオン抵抗		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25℃	図4-7
			18		mΩ	VGS =20V、ID =80A @TJ =150℃
Ciss	入力容量		11		ロープ	VDS=800V、VGS =0V、f=100kHz、VAC =25mV	図16
Coss	輸出容量		507		pF
Crss	逆転移容量		31		pF
Eoss	Cossに蓄えられたエネルギー		203		μJ		図17
司令部	総ゲート電荷		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5から20V	図18
Qgs	ゲート-ソース充電量		100		nC
Qgd	ゲート-ドレイン充電量		192		nC
Rg	ゲート入力抵抗		1.0		ω	f=100kHz
エオン	オンスイッチングエネルギー		783		μJ	VDS =600V、ID =60A、VGS=-5から20V、RG(ext)on／ RG(ext)off =2.5Ω／1.43Ω、L=120μH	図19-22
オーフ	オフスイッチングエネルギー		182		μJ
オン (オン)	オンする遅延時間		30		nS
について	昇る時間		5.9
消して	オフ遅延時間		37
tF	秋の時間		21
LsCE	流れる誘導力		7.6		nH

逆ダイオード特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
		分。	タイプする	マックス。
VSD	ダイオード前向き電圧		4.9		V	ISD =80A、VGS =0V	図10-12
			4.5		V	ISD =80A、VGS =0V、TJ =150°C
trr	逆回復時間		17.4		nS	VGS =-5V／+20V、ISD =60A、VR =600V、di／dt=13.28A／ns、RG(ext) =2.5Ω、L=120μH
Qrr	逆回復電荷		1095		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		114		A について

NTCサーミスタ特性

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
		分。	タイプする	マックス。
RNTC	定数抵抗		5		kΩ	TNTC = 25℃	図27
δR/R	25℃における抵抗値公差	-5		5	%
β25/50	ベータ値		3380		K	±1%
総量	パワー消費		5		mW

典型的性能（カーブ）

         

パッケージ寸法（mm）