650V 25mΩ 제2세대 자동차용 SiC MOSFET

특징

응용 프로그램

개요:

표시도:

절대 최대 등급 (TC=25°C 특수 지정 사항이 없는 경우)

상징	매개변수	가치	UNIT	시험 조건	주의
VDS	드레인-소스 전압	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	최대 DC 전압	-5 to 20	V	정적 (DC)
VGSmax (파동)	최대 스파이크 전압	-10에서 23	V	듀티 사이클<1%, 펄스 폭<200ns
VGSon	권장 켜기 전압	18±0.5	V
VGSoff	권장 끄기 전압	-3.5 to -2	V
Id	드레인 전류 (연속)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	그림 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	드레인 전류 (펄스)	247	A	SOA에 의해 펄스 폭 제한	그림 26
Ptot	총 전력 손실	454	W	TC =25°C	그림 24
TSTG	보관 온도 범위	-55에서 175까지	°C
Tj	운영 접합 온도	-55에서 175까지	°C
티엘티엘	땜납 온도	260	°C	파동땜납은 케이스에서 1.6mm 떨어진 리드에서만 허용, 10초 동안

열 데이터

상징	매개변수	가치	UNIT	주의
Rθ(J-C)	접합부에서 케이스로의 열 저항	0.33	°C/W	그림. 25

전기적 특성 (TC =25。C 특별히 지정되지 않은 경우)

상징	매개변수	가치			UNIT	시험 조건	주의
상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT	시험 조건	주의
IDSS	게이트 전압이 없는 드레인 전류		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	게이트 누설 전류			±100	부적절함	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	게이트 임계 전압	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	그림 8, 9
VTH	게이트 임계 전압		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	그림 8, 9
RON	정전류 드레인-소스 온 저항		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	그림 4, 5, 6, 7
RON	정전류 드레인-소스 온 저항		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	그림 4, 5, 6, 7
입력 전용 용량	입력 용량		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	그림 16
출력 전용 용량	출력 용량		251		pF
게이트-드레인 역상 용량	역전환 용량		19		pF
출력 용량 에너지	출력 용량 저장 에너지		52		μJ		그림 17
본부	총 게이트 전하량		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 내지 18V	그림. 18
Qgs	게이트-소스 전하량		35.7		nC
Qgd	게이트-드레인 전하량		38.5		nC
Rg	게이트 입력 저항		1.5		ω	f=1MHz
EON	켜기 전원 전환		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 내지 18V, RG(외부) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	그림 19, 20
EOFF	그라운드 스위치 에너지		95.0		μJ
td(on)	턴온 지연 시간		12.9		nS
tr	상승 시간		26.5
td(off)	차단 지연 시간		23.2
tF	하강 시간		11.7
EON	켜기 전원 전환		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	그림 22
EOFF	그라운드 스위치 에너지		99.7		μJ		그림 22

역방향 다이오드 특성 (TC =25。C 특별히 지정되지 않은 경우)

상징	매개변수	가치			UNIT	시험 조건	주의
상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT	시험 조건	주의
VSD	다이오드 순방향 전압		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	그림 10, 11, 12
VSD	다이오드 순방향 전압		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	그림 10, 11, 12
trr	역회복 시간		32		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	역환수료		195.3		nC
IRRM	최대 역회복 전류		20.2		A