Applications

Energia solar est limpidissima et abundantissima fontes energiae renovabilis disponibilis. Cellulae vel pannus solares photovoltaici (PV) sunt instrumenta ad convertere energiam solarem in electricitatem. Intensa investigatio et productio in large scale panelum solarium coepit ex hoc novo millennio. Capacitas globalis PV solaris pervenit ad 494.3GW in anno 2018 et crescere expectatur ultra 1 TW inter 2019 et 2030 (Fons: GlobalData Power Database). Maior pars additionis capacitatis in hoc tempore aestimatur venire a China, India et aliis regionibus Asiae-Pacifica. Cum celeri incremento capacitatis installatae et melioratione technologiae, costa capitalis media stabilendi systematis PV solaris diminuit significative, sed adhuc varie praeter nationem. Diminutio costae productionis et schemata gubernatorum resultat in decremento pretii systematis medii PV solaris. Costa capitalis media globalis plantarum PV solarium fuit $4,162/kilowatt (KW) in anno 2010, reducens ad $1,240/kW in anno 2018, et aestimatur decrescere ulterius ex aestimationibus costae in pluribus nationibus et attingere $997 usque ad annum 2030. Figura infra ostendit tendentiam pretii systematis medii globalis PV solaris et quinque maximas nationes PV solares inter 2010 et 2018.

Mercatus PV Solaris, globalis, costus mediocris gentium clavium et globalis ($/KW), 2010–2018 (Fontes: GlobalData)

Ut competitivum permaneat, fabricatores systematum virium et PV semper technologias novas quaerunt. Efficiencia conversionis virium et pondus / magnitudo inverteris ac costus materialium omnia sunt aspectus quos designatio considerare debet. Niveles potentiae et tensionis converteris solaris variari possunt ex applicationibus. Applicationes residentialis plerumque sub 10kW sunt, et commerciales communiter inter 10kW et 70kW rangent. Statio virium utilitatis scala maiorem quam 70kW habet. Nunc plures staciones virium adhuc usum maximae tensionis 1000V habent, sed recentius dispositae grandiores stationes solares coeperunt tensionem PV a 1000V ad 1500V augere. Maior tensio potest amittere semiconductores et cuprum et ulterius efficienciam systematis virium meliorem facere. Pro tensione bus 1500V, topologiae boost et inverteris trium graduum unica validam solutionem fiunt cum dispositive commutationis 1200V.

Diodes ex SiC sunt latissime usae in PV design converteris boost, et MOSFETs ex SiC sunt usae in multis inverteribus cum alta performance. Quae sequuntur sunt duo exempla topologiarum usatarum in design inverteris PV.

inverter 60kW cum Solution MOSFET SiC TO-247

inverter 1500V 150kW cum TO-247 SiC MOSFET et IV1E SiC Modulo Solution IVCT composuit convertorem boost interlatus 20kW ad demonstrandum performance diodorum SiC et MOSFET. Convertor utitur quattuor MOSFTEs 80mOhm 1200V IV1Q12080T4 et quattuor diodis 10A 1200V IV1D12010T3. Ad 65kHz, convertor efficiens fit 99.4% cum input 600V et output 800V. MOSFETs impelluntur ab IVCR1401 driver MOSFET SiC. Undae infra monstrant clara Vds crescendi et decrescendi margines.