အသုံးပြုမှုများ

အရှေ့ကြောင်းERGY သည် ရရှိနိုင်သော အသစ်ပြောင်းလဲနိုင်သော အင်္ဂါအရာဝတ္ထုအဖြစ် အရှေ့ဆုံးနှင့် အများဆုံးဖြစ်သည်။ အရှေ့ကြောင်း PHOTovoltaic (PV) cells သို့မဟုတ် panels များသည် အရှေ့ကြောင်းအင်္ဂါကို လူကြီးမင်းအင်အားသို့ ပြောင်းလဲရန် ကိရိယာများဖြစ်သည်။ ဒုတိယ new millennium ကြောင့် အခြေခံလုပ်ငန်းများနှင့် အကြီးမားသောအဆင့်အတန်း panels ထုတ်လုပ်ခြင်း စတင်ခဲ့သည်။ 2018 တွင် ကမ္ဘာ့ solar PV capacity သည် 494.3GW ရှိခဲ့ပြီး၊ 2019 မှ 2030 အထိ 1 TW ထက်ပို၍ မြှင့်တင်မည်ဟု မျှော်လင့်ထားသည် (Source: GlobalData Power Database)။ ဒီကြားကာလအတွင်း အများဆုံးအင်အားသည် တရုတ်၊ အိန္ဒိယနှင့် အခြား Asia-Pacific နိုင်ငံများမှ ရရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။ အင်အားသုံးစွဲမှု၏ မြန်မားမှုနှင့် ပညာရေးပြောင်းလဲမှုများဖြင့်၊ အရှေ့ကြောင်း PV အတွက် ပုံမှန်အခွန်အကျိုးကို အရောင်းလျှော့ချခဲ့သော်လည်း၊ နိုင်ငံတော်တိုင်းတွင် အများကြီးလေးစွာ မတူညီသည်။ ထုတ်လုပ်ခြင်းအကျိုးအခွန်၏ လျှော့ချမှုနှင့် အစိုးရ၏ scheme များကြောင့် အရှေ့ကြောင်း PV ၏ ပုံမှန်စနစ်အချိန်ကို လျှော့ချခဲ့သည်။ ကမ္ဘာ့အရှေ့ကြောင်း PV လုပ်ငန်းများ၏ ပုံမှန်အခွန်အကျိုးသည် 2010 တွင် $4,162/kilowatt (KW) ဖြစ်ပြီး၊ 2018 တွင် $1,240/kW သို့ လျှော့ချခဲ့ပြီး၊ နိုင်ငံများ၏ အခွန်ခန့်မှန်းမှုများအရ 2030 တွင် $997 ရောက်မည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။ အောက်ပါဇယားသည် 2010 မှ 2018 အထိ global Solar PV နှင့် top five solar PV နိုင်ငံများ၏ ပုံမှန်စနစ်အချိန် trend ကို ပြသထားသည်။

စোလာ PV မာကက်တ္တ, ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ, အဓိကန်းပြင်၏ပျမ်းမျှချေးငွေ ($/KW), 2010-2018 (အရင်းအမြစ်: GlobalData)

သိုလှောင်မှုရှိဖို့အတွက်, PV နှင့် အင်္ဂါစနစ်ထုတ်လုပ်သူများသည် အသစ်သော တက်နော်လောဂီများကို တောင်းဆိုရန် ဆက်လက်ရှာဖွေလျက်ရှိသည်။ အင်္ဂါဒီဇိုင်းမှာ အင်အားပြောင်းလဲမှုကို ကြိုက်မြှောက်မှုနှင့် Inverter ၏ အလေးချိန်/အရွယ်အစားနှင့် ပစ္စည်းချေးငွေအားလုံးကို တွက်ချက်ရမည်။ စိုလာအင်္ကွန်ဗာတာ၏ အင်အားနှင့် အားကျွန်မှုအဆင့်များသည် အသုံးပြုမှုအရ မတူညီသည်။ အိမ်ရှိအသုံးပြုမှုများမှာ အများစု 10kW အောက်ဖြစ်ပြီး၊ ကုမ္ပဏီအဆင့်မှာ အများစု 10kW နှင့် 70kW အကြားတွင်ရှိသည်။ ပိုင်းဝဲအဆင့်အားဖြင့် 70kW အထက်ဖြစ်သည်။ ယခုအချိန်တွင် အများစုအင်အားရေးရုံများမှာ 1000V အများဆုံး bus voltage ကို သုံးလျက်ရှိသော်လည်း၊ မကြာသေးမီတွင် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသော ကြီးမားသော စိုလာရုံများသည် 1000V မှ 1500V သို့ PV voltage ကိုတိုးလာပြီး၊ မြင့်မားသော voltage ကို သုံးလျှင် semiconductor နှင့် copper losses ကို လျော့နည်းစေပြီး အင်အားစနစ်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေနိုင်သည်။ 1500V bus voltage အတွက် 3-level boost နှင့် inverter topologies သည် 1200V switching devices နှင့်အတူ တစ်မျိုးတည်းသော ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော ဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။

SiC ဒိုဒ်များသည် PV boost converter ဒစ်ဇိုင်းတွင် ကျယ်ပြန့်အသုံးပြုခဲ့ပြီး၊ SiC MOSFETs များသည် မြင့်ရှေ့လုပ်ဆောင်မှု inverter ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် အသုံးပြုခဲ့သည်။ အောက်ပါအတိုင်းသည် PV inverter ဒစ်ဇိုင်းတွင်အသုံးပြုသည့် topologies နမူနာနှစ်ခုဖြစ်သည်။

tO-247 SiC MOSFET ဖြေရှင်းချက်ဖြင့် 60kW Inverter

tO-247 SiC MOSFET နှင့် IV1E SiC Module Solution IVCT ဖြင့် 1500V 150kW Inverter၊ IVCT သည် SiC diode နှင့် MOSFET လုပ်ဆောင်မှုကို ပြသရန် 20kW interleaved boost converter တစ်ခုကို ဖွံ့ဖြိုးခဲ့သည်။ ကောန်ဗာတာသည် IV1Q12080T4 MOSFETs လေးခုနှင့် IV1D12010T3 diodes လေးခုကို အသုံးပြုသည်။ 65kHz တွင်၊ 600V input နှင့် 800V output တို့ဖြင့် ကောန်ဗာတာသည် 99.4% efficiency ကိုရရှိသည်။ MOSFETs များသည် SiC MOSFET driver IVCR1401 ဖြင့် driven ထားသည်။ အောက်ပါ waveform များသည် Vds rising နှင့် falling edges ကို clean ဖြင့်ပြသထားသည်။