1200V 25mohm SiC MODULE Motorbesturingen

Plaats van oorsprong:	Zhejiang
Merknaam:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV1B12025HC1L
Certificering:	AEC-Q101

Kenmerken

• Hoog blokkingspanning met lage aansluitweerstand

• Hoge snelheidsschakeling met lage capaciteit

• Hoge werkende junction temperatuurcapaciteit

• Zeer snel en robuust intrinsiek body-diode

Toepassingen

• Zonne-applicaties

• Ups systeem

• Motorrijders

• Hoge spanning DC/DC converters

Verpakking

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Maximale dc-spanning	-5 tot 22	V	Statisch (DC)
VGSmax (Piek)	Maximale piekspanning	-10 tot 25	V	<1% duty cycle, en pulsgrootte<200ns
VGSaan	Aanbevolen inschakelspanning	20±0.5	V
VGSuit	Aanbevolen uitschakelspanning	-3.5 tot -2	V
ID	Drainspanning (continu)	74	Een	VGS =20V, TC =25°C
		50	Een	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	185	Een	Pulsgrootte beperkt door SOA	Fig. 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	250	W	TC =25°C	Fig.24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot 150	°C
Tj	Maximale virtuele aansluittemperatuur onder schakelcondities	-40 tot 150	°C	Operatie
		-55 tot 175	°C	Intermittent met verminderd leven

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Opmerking
Rθ(J-C)	Thermische weerstand van junction naar case	0.5	°C/W	Fig.25

Elektrische Kenmerken (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parametr	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Doorlaatstroom		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	De grensspanning van de poort		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Statische drain-source-aan-weerstand		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Fig.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Ingangs capaciteit		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Uitgangscondensator		285		pF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		20		pF
Eoss	Coss opgeslagen energie		105		μJ		Fig.17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 tot 20V	Fig.18
Qgs	Gate-source lading		50		nC
Qgd	Gate-drain lading		96		nC
Rg	Gate ingangweerstand		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Inschakelovergangsenergie		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 tot 20V, RG(ext)aan/ RG(ext)uit =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		135		μJ
td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		15		n
- Het is...	Opstijgtijd		4.1
td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		24
tF	Ouderdom		17
LsCE	Inductie van de afwijking		8.8		nH

Karakteristieken van omgekeerde diode (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
VSD	Diode-spanning naar voren		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Teruglooptijd		18		n	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Teruglooplading		1068		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		96.3		Een

NTC Thermistor Kenmerken

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
RNTC	Nominale weerstand		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Weerstandstolerantie bij 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta-waarde		3380		K	±1%
Pmax	Vermogen dissipatie		5		mW

Typische prestaties (kurven)

         

Verpakkingdimensies (mm)

Opmerkingen

Voor meer informatie neemt u contact op met het verkoopkantoor van IVCT.

Auteursrecht©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alle rechten voorbehouden.

De informatie in dit document is onderhevig aan wijzigingen zonder opmerking.

Gerelateerde Links

http://www.inventchip.com.cn