IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODULE Zon

Plaats van oorsprong:	Zhejiang
Merknaam:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV1B12013HA1L
Certificering:	AEC-Q101

Kenmerken

• Hoog blokkingspanning met lage aansluitweerstand

• Hoge snelheidsschakeling met lage capaciteit

• Hoge werkende junction temperatuurcapaciteit

• Zeer snel en robuust intrinsiek body-diode

Toepassingen

• Zonne-applicaties

• Ups systeem

• Motorrijders

• Hoge spanning DC/DC converters

Verpakking

Markeringsschema

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	1200	V
VGSmax (DC)	Maximale dc-spanning	-5 tot 22	V	Statisch (DC)
VGSmax (Piek)	Maximale piekspanning	-10 tot 25	V	<1% duty cycle, en pulsgrootte<200ns
VGSaan	Aanbevolen inschakelspanning	20±0.5	V
VGSuit	Aanbevolen uitschakelspanning	-3.5 tot -2	V
ID	Drainspanning (continu)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	204	A	Pulsgrootte beperkt door SOA	Fig. 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot 150	°C
Tj	Maximale virtuele aansluittemperatuur onder schakelcondities	-40 tot 150	°C	Operatie
		-55 tot 175	°C	Intermittent met verminderd leven

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Opmerking
Rθ(J-H)	Thermische weerstand van aansluiting naar koelsysteem	0.596	°C/W	Fig.25

Elektrische Kenmerken (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Doorlaatstroom			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	De grensspanning van de poort	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statische drain-source aansluitweerstand		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Ingangs capaciteit		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Uitgangscondensator		507		pF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		31		pF
Eoss	Coss opgeslagen energie		203		μJ		Fig.17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 tot 20V	Fig.18
Qgs	Gate-source lading		100		nC
Qgd	Gate-drain lading		192		nC
Rg	Gate ingangweerstand		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Inschakelovergangsenergie		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 tot 20V, RG(ext)aan/ RG(ext)uit =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		182		μJ
td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		30		n
- Het is...	Opstijgtijd		5.9
td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		37
tF	Ouderdom		21
LsCE	Inductie van de afwijking		7.6		nH

Karakteristieken van omgekeerde diode (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
VSD	Diode-spanning naar voren		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Teruglooptijd		17.4		n	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Teruglooplading		1095		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		114		A

NTC Thermistor Kenmerken

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
RNTC	Nominale weerstand		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Weerstandstolerantie bij 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta-waarde		3380		K	±1%
Pmax	Vermogen dissipatie		5		mW

Typische prestaties (kurven)

         

Verpakkingdimensies (mm)