1200V 25mohm SiC MODUL Motorstyrere

Hjemmeland:	Zhejiang
Merkenavn:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV1B12025HC1L
Sertifisering:	AEC-Q101

Egenskaper

• Høy blokkeringsspenning med lav påstand

• Høy hastighetsbytting med lav kapasitans

• Høy driftsforbindings temperaturførenhet

• Veldig rask og robust innbygget kroppsdiode

Applikasjoner

• Solenergiapplikasjoner

• Ups-system

• Motorstyrere

• Høyspenninger DC/DC-konvertere

Pakking

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 22	V	Stilleliggende (DC)
VGSmax (Spikk)	Maksimal spissespenning	-10 til 25	V	<1% syklusforhold, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalt skru-oppvoltage	20±0.5	V
VGSoff	Anbefalt skru-avvoltage	-3.5 til -2	V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	185	A	Pulsbredde begrenset av SOA	Fig.26
Ptot	Total effektdissipasjon	250	W	TC =25°C	Fig.24
Tstg	Lagertemperaturområde	-40 til 150	°C
Tj	Maksimal virtuell krysspunktstemperatur under skiftebetingelser	-40 til 150	°C	Drift
		-55 til 175	°C	Intermittent med redusert levetid

Termisk data

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merk
Rθ(J-C)	Termisk motstand fra forbindelse til husking	0.5	°C/W	Fig.25

Elektriske eigenskapar (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gateteknisk strøm		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Statisk drain-kilde på-motstand		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Fig.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Inngangskapasitet		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Utgangskapasitet		285		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		20		pF
Eoss	Coss lagret energi		105		μJ		Fig.17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		240		nC:	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 til 20V	Fig.18
Qgs	Gate-kilde ladning		50		nC:
Qgd	Gate-drain ladning		96		nC:
Rg	Gate inndata motstand		1.4		ω	f=100kHz
EON	Slå-på skifteenergi		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 til 20V, RG(ext)slå-av/ RG(ext)slå-på =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		135		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		15		nS
tR	Stigningstid		4.1
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		24
tF	Falltid		17
LsCE	Stray-induktans		8.8		nH

Omvendt diodekarakteristikk (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
VSD	Diode fremover spenning		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Omvendt gjenopptakstid		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		1068		nC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		96.3		A

Egenskaper for NTC-termistor

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
RNTC	Nominal motstand		5		kΩ	TNTC =25℃	Fig.27
δR\/R	Motstandstolerans ved 25℃	-5		5	%
β25\/50	Beta-verdi		3380		K	±1%
Pmax	Effektforbruk		5		mW

Typisk ytelse (kurver)

         

Forpakningsdimensjoner (mm)

Merknader

For mer informasjon, vennligst kontakt IVCT's Salgsavdeling.

Opphavsrett©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alle rettigheter forbeholdt.

Informasjonen i dette dokumentet er underlagt endringer uten varsel.

Relaterte lenker

http://www.inventchip.com.cn