IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Sol

Hjemmeland:	Zhejiang
Merkenavn:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV1B12013HA1L
Sertifisering:	AEC-Q101

Egenskaper

• Høy blokkeringsspenning med lav påstand

• Høy hastighetsbytting med lav kapasitans

• Høy driftsforbindings temperaturførenhet

• Veldig rask og robust innbygget kroppsdiode

Applikasjoner

• Solenergiapplikasjoner

• Ups-system

• Motorstyrere

• Høyspenninger DC/DC-konvertere

Pakking

Merkelsesdiagram

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	1200	V
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 22	V	Stilleliggende (DC)
VGSmax (Spikk)	Maksimal spissespenning	-10 til 25	V	<1% syklusforhold, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalt skru-oppvoltage	20±0.5	V
VGSoff	Anbefalt skru-avvoltage	-3.5 til -2	V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	204	A	Pulsbredde begrenset av SOA	Fig.26
Ptot	Total effektdissipasjon	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
Tstg	Lagertemperaturområde	-40 til 150	°C
Tj	Maksimal virtuell krysspunktstemperatur under skiftebetingelser	-40 til 150	°C	Drift
		-55 til 175	°C	Intermittent med redusert levetid

Termisk data

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merk
Rθ(J-H)	Termisk motstand fra krysspunkt til kjøleskjerme	0.596	°C/W	Fig.25

Elektriske eigenskapar (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gateteknisk strøm			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statisk drain-kilde på-motstand		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Inngangskapasitet		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Utgangskapasitet		507		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		31		pF
Eoss	Coss lagret energi		203		μJ		Fig.17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		480		nC:	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 til 20V	Fig.18
Qgs	Gate-kilde ladning		100		nC:
Qgd	Gate-drain ladning		192		nC:
Rg	Gate inndata motstand		1.0		ω	f=100kHz
EON	Slå-på skifteenergi		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 til 20V, RG(ext)på/ RG(ext)av =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		182		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		30		nS
tR	Stigningstid		5.9
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		37
tF	Falltid		21
LsCE	Stray-induktans		7.6		nH

Omvendt diodekarakteristikk (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
VSD	Diode fremover spenning		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Omvendt gjenopptakstid		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		1095		nC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		114		A

Egenskaper for NTC-termistor

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
RNTC	Nominal motstand		5		kΩ	TNTC =25℃	Fig.27
δR\/R	Motstandstolerans ved 25℃	-5		5	%
β25\/50	Beta-verdi		3380		K	±1%
Pmax	Effektforbruk		5		mW

Typisk ytelse (kurver)

         

Forpakningsdimensjoner (mm)