1200V 25mohm Moduł SiC Sterowniki silników

Miejsce pochodzenia:	Zhejiang
Nazwa marki:	Inventchip Technology
Numer modelu:	IV1B12025HC1L
Certyfikacja:	AEC-Q101

Cechy

• Wysokie napięcie blokujące przy niskim oporze włączeniowym

• Szybkie przełączanie przy niskiej pojemności

• Wysoka zdolność pracy przy wysokiej temperaturze stycznej

• Bardzo szybka i odporna wewnętrzna dioda przewodnicy

Zastosowania

• Zastosowania solarne

• System ups

• Sterowniki silników

• Konwertery napięciowe DC/DC wysokiego napięcia

Opakowanie

Bezwzględne Wartości Maksymalne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VDS	Napięcie między drainersem a źródłem	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Maksymalne napięcie DC	-5 do 22	V	Statyczne (DC)
VGSmax (Szczyt)	Maksymalne napięcie szczytowe	-10 do 25	V	<1% cykl pracy, szerokość impulsu <200ns
VGSon	Polecane napięcie włączania	20±0.5	V
VGSoff	Polecane napięcie wyłączania	-3.5 do -2	V
Id	Prąd drajnu (ciągły)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Prąd drajnu (pulsowany)	185	A	Szerokość impulsu ograniczona przez SOA	Rys.26
Ptot	Całkowita dyssypacja mocy	250	W	TC =25°C	Rys.24
Tstg	Zakres temperatury przechowywania	-40 do 150	°C
Tj	Maksymalna wirtualna temperatura przewodu w warunkach przełączania	-40 do 150	°C	Działanie
		-55 do 175	°C	Przewodnicze z obniżonym czasem życia

Dane termiczne

Symbol	Parametr	Wartość	Jednostka	Uwaga
Rθ(J-C)	Opór Termiczny od Junctury do Obudowy	0.5	°C/W	Rys.25

Charakterystyki elektryczne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Prąd drainowy przy zerowym napięciu bramki		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Prąd ucieczkowy bramki		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Próg napięcia bramki		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Statyczny opór drań-podścieżka		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Rys.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Pojemność wejściowa		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Rys.16
Coss	Pojemność wyjściowa		285		pF
Crss	Pojemność przewodzenia odwrotnego		20		pF
Eoss	Energia przechowywana w Coss		105		μJ		Rys.17
Qg	Całkowity ładunek bramki		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 do 20V	Rys.18
Qgs	Ładunek bramka-źródło		50		nC
Qgd	Naładowanie bramki-drainu		96		nC
Rg	Opór wejściowy bramki		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Energia przemiennika przy włączaniu		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 do 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Rys.19-22
EOFF	Energia przemiennika wyłączania		135		μJ
td(wł)	Czas opóźnienia włączenia		15		nS
tR	Czas narastania		4.1
td(wył)	Czas opóźnienia wyłączenia		24
tF	Czas spadku		17
LsCE	Indukcyjność pasożytnicza		8.8		- Nie.

Właściwości diody odwrotnej (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Napięcie przód-diody		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Rys.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Czas odzysku wstecznego		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Opłata za odzyskiwanie wsteczne		1068		nC
IRRM	Maksymalny prąd odzyskiwania wstecznego		96.3		A

Charakterystyka termistora NTC

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
RNTC	Nominalny opór		5		kΩ	TNTC = 25℃	Rys.27
δR/R	Dopuszczalny rozrzut oporu przy 25℃	-5		5	%
β25/50	Wartość Beta		3380		K	±1%
Pmax	Rozpraszanie mocy		5		mW

Typowe wydajność (krzywe)

         

Wymiary Opakowania (mm)

Uwagi

Aby uzyskać więcej informacji, skontaktuj się z Biurem Sprzedaży IVCT.

Prawa autorskie ©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Wszelkie prawa zastrzeżone.

Informacje zawarte w tym dokumencie mogą ulec zmianie bez uprzedzenia.

Powiązane Linki

http://www.inventchip.com.cn