IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm Moduł SiC dla Słonecznych

Miejsce pochodzenia:	Zhejiang
Nazwa marki:	Inventchip Technology
Numer modelu:	IV1B12013HA1L
Certyfikacja:	AEC-Q101

Cechy

• Wysokie napięcie blokujące przy niskim oporze włączeniowym

• Szybkie przełączanie przy niskiej pojemności

• Wysoka zdolność pracy przy wysokiej temperaturze stycznej

• Bardzo szybka i odporna wewnętrzna dioda przewodnicy

Zastosowania

• Zastosowania solarne

• System ups

• Sterowniki silników

• Konwertery napięciowe DC/DC wysokiego napięcia

Opakowanie

Schemat Oznaczeń

Bezwzględne Wartości Maksymalne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VDS	Napięcie między drainersem a źródłem	1200	V
VGSmax (DC)	Maksymalne napięcie DC	-5 do 22	V	Statyczne (DC)
VGSmax (Szczyt)	Maksymalne napięcie szczytowe	-10 do 25	V	<1% cykl pracy, szerokość impulsu <200ns
VGSon	Polecane napięcie włączania	20±0.5	V
VGSoff	Polecane napięcie wyłączania	-3.5 do -2	V
Id	Prąd drajnu (ciągły)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Prąd drajnu (pulsowany)	204	A	Szerokość impulsu ograniczona przez SOA	Rys.26
Ptot	Całkowita dyssypacja mocy	210	W	Tvj≤150℃	Rys.24
Tstg	Zakres temperatury przechowywania	-40 do 150	°C
Tj	Maksymalna wirtualna temperatura przewodu w warunkach przełączania	-40 do 150	°C	Działanie
		-55 do 175	°C	Przewodnicze z obniżonym czasem życia

Dane termiczne

Symbol	Parametr	Wartość	Jednostka	Uwaga
Rθ(J-H)	Opór termiczny od łącza do radiatory	0.596	°C/W	Rys.25

Charakterystyki elektryczne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Prąd drainowy przy zerowym napięciu bramki		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Prąd ucieczkowy bramki			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Próg napięcia bramki	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statyczny opór przewodnictwa między drenem a źródłem		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Rys.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Pojemność wejściowa		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Rys.16
Coss	Pojemność wyjściowa		507		pF
Crss	Pojemność przewodzenia odwrotnego		31		pF
Eoss	Energia przechowywana w Coss		203		μJ		Rys.17
Qg	Całkowity ładunek bramki		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 do 20V	Rys.18
Qgs	Ładunek bramka-źródło		100		nC
Qgd	Naładowanie bramki-drainu		192		nC
Rg	Opór wejściowy bramki		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Energia przemiennika przy włączaniu		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 do 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Rys.19-22
EOFF	Energia przemiennika wyłączania		182		μJ
td(wł)	Czas opóźnienia włączenia		30		nS
tR	Czas narastania		5.9
td(wył)	Czas opóźnienia wyłączenia		37
tF	Czas spadku		21
LsCE	Indukcyjność pasożytnicza		7.6		- Nie.

Właściwości diody odwrotnej (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Napięcie przód-diody		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Rys.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Czas odzysku wstecznego		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Opłata za odzyskiwanie wsteczne		1095		nC
IRRM	Maksymalny prąd odzyskiwania wstecznego		114		A

Charakterystyka termistora NTC

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
RNTC	Nominalny opór		5		kΩ	TNTC = 25℃	Rys.27
δR/R	Dopuszczalny rozrzut oporu przy 25℃	-5		5	%
β25/50	Wartość Beta		3380		K	±1%
Pmax	Rozpraszanie mocy		5		mW

Typowe wydajność (krzywe)

         

Wymiary Opakowania (mm)