IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm Moduł SiC dla Słonecznych

Miejsce pochodzenia:	Zhejiang
Nazwa marki:	Inventchip Technology
Numer modelu:	IV1B12013HA1L
Certyfikacja:	AEC-Q101

Charakterystyka

• Wysokie napięcie blokujące przy niskim oporze włączeniowym

• Szybkie przełączanie przy niskiej pojemności

• Wysoka zdolność pracy przy wysokiej temperaturze stycznej

• Bardzo szybka i odporna wewnętrzna dioda przewodnicy

Zastosowania

• Zastosowania solarne

• System ups

• Sterowniki silników

• Konwertery napięciowe DC/DC wysokiego napięcia

Opakowanie

Schemat Oznaczeń

Bezwzględne Wartości Maksymalne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametry	Wartość	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VDS	Napięcie między drainersem a źródłem	1200	V
VGSmax (DC)	Maksymalne napięcie DC	-5 do 22	V	Statyczne (DC)
VGSmax (Szczyt)	Maksymalne napięcie szczytowe	-10 do 25	V	<1% cykl pracy, szerokość impulsu <200ns
VGSon	Polecane napięcie włączania	20±0.5	V
VGSoff	Polecane napięcie wyłączania	-3.5 do -2	V
Id	Prąd drajnu (ciągły)	96	A.	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A.	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Prąd drajnu (pulsowany)	204	A.	Szerokość impulsu ograniczona przez SOA	Rys.26
Ptot	Całkowita dyssypacja mocy	210	W	Tvj≤150℃	Rys.24
Tstg	Zakres temperatury przechowywania	-40 do 150	°C
Tj	Maksymalna wirtualna temperatura przewodu w warunkach przełączania	-40 do 150	°C	Działanie
		-55 do 175	°C	Przewodnicze z obniżonym czasem życia

Dane termiczne

Symbol	Parametry	Wartość	Jednostka	Uwaga
Rθ(J-H)	Opór termiczny od łącza do radiatory	0.596	°C/W	Rys.25

Charakterystyki elektryczne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametry	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Prąd drainowy przy zerowym napięciu bramki		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Prąd ucieczkowy bramki			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Próg napięcia bramki	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statyczny opór przewodnictwa między drenem a źródłem		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Rys.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Pojemność wejściowa		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Rys.16
Coss	Pojemność wyjściowa		507		pF
Crss	Pojemność przewodzenia odwrotnego		31		pF
Eoss	Energia przechowywana w Coss		203		μJ		Rys.17
Qg	Całkowity ładunek bramki		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 do 20V	Rys.18
Qgs	Ładunek bramka-źródło		100		nC
Qgd	Naładowanie bramki-drainu		192		nC
Rg	Opór wejściowy bramki		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Energia przemiennika przy włączaniu		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 do 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Rys.19-22
EOFF	Energia przemiennika wyłączania		182		μJ
td(wł)	Czas opóźnienia włączenia		30		nS
tR	Czas narastania		5.9
td(wył)	Czas opóźnienia wyłączenia		37
tF	Czas spadku		21
LsCE	Indukcyjność pasożytnicza		7.6		- Nie.

Właściwości diody odwrotnej (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametry	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Napięcie przód-diody		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Rys.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Czas odzysku wstecznego		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Opłata za odzyskiwanie wsteczne		1095		nC
IRRM	Maksymalny prąd odzyskiwania wstecznego		114		A.

Charakterystyka termistora NTC

Symbol	Parametry	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
RNTC	Nominalny opór		5		kΩ	TNTC = 25℃	Rys.27
δR/R	Dopuszczalny rozrzut oporu przy 25℃	-5		5	%
β25/50	Wartość Beta		3380		K	±1%
Pmax	Rozpraszanie mocy		5		mW

Typowe wydajność (krzywe)

         

Wymiary Opakowania (mm)