1200V 25mohm MÓDULO SiC Controladores de motor

Local de Origem:	Zhejiang
Nome da Marca:	Inventchip Technology
Número do modelo:	IV1B12025HC1L
Certificação:	AEC-Q101

Recursos

• Alta tensão de bloqueio com baixa resistência de ligação

• Comutação de alta velocidade com baixa capacitância

• Capacidade elevada de temperatura de junção operacional

• Diodo intrínseco muito rápido e robusto

Aplicações

• Aplicações solares

• Sistema UPS

• Controladores de motor

• Conversores DC/DC de alta tensão

Pacote

Classificações Máximas Absolutas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de Teste	Nota
VDS	Voltagem Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (CC)	Tensão dc máxima	-5 a 22	V	Estático (CC)
VGSmax (Pico)	Tensão de pico máxima	-10 a 25	V	<1% ciclo de trabalho, e largura do pulso <200ns
VGSon	Tensão de ligação recomendada	20±0.5	V
VGSoff	Tensão de desligamento recomendada	-3,5 a -2	V
Identificação	Corrente de drenagem (contínua)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Corrente de drenagem (em pulsos)	185	A	Largura de pulso limitada pelo SOA	Fig.26
Ptot	Dissipação total de potência	250	W	TC = 25°C	Fig.24
Tstg	Intervalo de temperatura de armazenamento	-40 a 150	°C
Tj	Temperatura máxima do junção virtual em condições de comutação	-40 a 150	°C	Operação
		-55 a 175	°C	Intermitente com vida útil reduzida

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Nota
Rθ(J-C)	Resistência Térmica da Junção ao Caso	0.5	°C/W	Fig.25

Características Elétricas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
		Mín.	Typ.	- Max, não.
IDSS	Corrente de drenagem com tensão zero no gate		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente de fuga do gate		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensão limiar da porta		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Resistência estática de drenagem-fonte ligada		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Fig.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Capacitância de entrada		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz, VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacitância de saída		285		pF
Crss	Capacitância de transferência reversa		20		pF
Eoss	Energia armazenada em Coss		105		μJ		Fig. 17
Qg	Carga total do gate		240		nC	VDS = 800V, ID = 40A, VGS = -5 a 20V	Fig. 18
Qgs	Carga gate-source		50		nC
Qgd	Carga de grade-dreno		96		nC
Rg	Resistência de entrada de grade		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Energia de comutação de ligação		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 a 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Energia de comutação na desligagem		135		μJ
td( lig )	Tempo de atraso na ligação		15		nS
tR	Tempo de subida		4.1
td( desl )	Tempo de atraso na desligagem		24
tF	Tempo de Queda		17
LsCE	Indutância parasita		8.8		não

Características do Diodo Reverso (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
		Mín.	Typ.	- Max, não.
VSD	Tensão direta do diodo		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Tempo de recuperação reversa		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14,29A/ns, RG(ext) =2,5Ω, L=120μH
Qrr	Carga de recuperação reversa		1068		nC
IRRM	Corrente de recuperação reversa pico		96.3		A

Características do Termistor NTC

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
		Mín.	Typ.	- Max, não.
RNTC	Resistência Nominal		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Tolerância de Resistência a 25℃	-5		5	%
β25/50	Valor Beta		3380		K	±1%
Pmáximo	Dissipação de energia		5		mW

Desempenho Típico (curvas)

         

Dimensões da Embalagem (mm)

NOTAS

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