IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm MÓDULO SiC Solar

Local de Origem:	Zhejiang
Nome da Marca:	Inventchip Technology
Número do modelo:	IV1B12013HA1L
Certificação:	AEC-Q101

Recursos

• Alta tensão de bloqueio com baixa resistência de ligação

• Comutação de alta velocidade com baixa capacitância

• Capacidade elevada de temperatura de junção operacional

• Diodo intrínseco muito rápido e robusto

Aplicações

• Aplicações solares

• Sistema UPS

• Controladores de motor

• Conversores DC/DC de alta tensão

Pacote

Diagrama de Marcação

Classificações Máximas Absolutas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de Teste	Nota
VDS	Voltagem Drain-Source	1200	V
VGSmax (CC)	Tensão dc máxima	-5 a 22	V	Estático (CC)
VGSmax (Pico)	Tensão de pico máxima	-10 a 25	V	<1% ciclo de trabalho, e largura do pulso <200ns
VGSon	Tensão de ligação recomendada	20±0.5	V
VGSoff	Tensão de desligamento recomendada	-3,5 a -2	V
Identificação	Corrente de drenagem (contínua)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Corrente de drenagem (em pulsos)	204	A	Largura de pulso limitada pelo SOA	Fig.26
Ptot	Dissipação total de potência	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
Tstg	Intervalo de temperatura de armazenamento	-40 a 150	°C
Tj	Temperatura máxima do junção virtual em condições de comutação	-40 a 150	°C	Operação
		-55 a 175	°C	Intermitente com vida útil reduzida

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Nota
Rθ(J-H)	Resistência Térmica do Junção ao Dissipador de Calor	0.596	°C/W	Fig.25

Características Elétricas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
		Mín.	Typ.	- Max, não.
IDSS	Corrente de drenagem com tensão zero no gate		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente de fuga do gate			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensão limiar da porta	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Resistência estática de drenagem-para-fonte em estado ligado		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Capacitância de entrada		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz, VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacitância de saída		507		pF
Crss	Capacitância de transferência reversa		31		pF
Eoss	Energia armazenada em Coss		203		μJ		Fig. 17
Qg	Carga total do gate		480		nC	VDS = 800V, ID = 80A, VGS = -5 a 20V	Fig. 18
Qgs	Carga gate-source		100		nC
Qgd	Carga de grade-dreno		192		nC
Rg	Resistência de entrada de grade		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Energia de comutação de ligação		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 a 20V, RG(ext)ligado/ RG(ext)desligado =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Energia de comutação na desligagem		182		μJ
td( lig )	Tempo de atraso na ligação		30		nS
tR	Tempo de subida		5.9
td( desl )	Tempo de atraso na desligagem		37
tF	Tempo de Queda		21
LsCE	Indutância parasita		7.6		não

Características do Diodo Reverso (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
		Mín.	Typ.	- Max, não.
VSD	Tensão direta do diodo		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Tempo de recuperação reversa		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Carga de recuperação reversa		1095		nC
IRRM	Corrente de recuperação reversa pico		114		A

Características do Termistor NTC

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
		Mín.	Typ.	- Max, não.
RNTC	Resistência Nominal		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Tolerância de Resistência a 25℃	-5		5	%
β25/50	Valor Beta		3380		K	±1%
Pmáximo	Dissipação de energia		5		mW

Desempenho Típico (curvas)

         

Dimensões da Embalagem (mm)