1200В 25мОм SiC МОДУЛЬ Приводы двигателя

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV1B12025HC1L
Сертификация:	AEC-Q101

Особенности

• Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении включения

• Высокоскоростной переключающий с низкой ёмкостью

• Высокая способность работы при высокой температуре соединения

• Очень быстрый и надежный внутренний диод

Применения

• Применение солнечной энергии

• Система ИБП

• Водители

• Конвертеры высокого напряжения DC/DC

Упаковка

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	1200	В	VGS =0В, ID =200мкА
VGSmax (DC)	Максимальное напряжение постоянного тока	-5 до 22	В	Статический (DC)
VGSmax (Импульс)	Максимальное напряжение импульса	-10 до 25	В	<1% цикл нагрузки, и ширина импульса <200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	20±0.5	В
VGSoff	Рекомендуемое напряжение отключения	-3.5 до -2	В
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	74	A	VGS = 20В, TC = 25°C
		50	A	VGS = 20В, TC = 94°C
IDM	Ток стока (импульсный)	185	A	Ширина импульса ограничена SOA	Рис. 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	250	В	TC =25°C	Рис.24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-40 до 150	°C
Tj	Максимальная виртуальная температура перехода при переключении	-40 до 150	°C	Операция
		-55 до 175	°C	Прерывистая с уменьшенным сроком службы

Тепловые данные

Символ	Параметр	Значение	Единица	Заметка
Rθ(J-C)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	0.5	°C/W	Рис.25

Электрические характеристики (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		10	200	μA	VDS =1200В, VGS =0В
IGSS	Ток утечки затвора		2	±200	нД	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Напряжение порога затвора		3.2		В	VGS=VDS , ID =12мА	Фиг.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150.С
Рон	Статическое сопротивление канала между стоком и истоком в режиме включения		25	33	мОм	VGS =20V, ID =40A @TJ =25.С	Рис.4-7
			36		мОм	VGS =20В, ID =40А при TJ =150°С
Цисс	Входной пропускной способностью		5.5		нФ	VDS=800В, VGS =0В, f=100кГц, VAC =25мВ	Рис.16
Косс	Выходной объем		285		pF
Крсс	Капацитет обратной передачи		20		pF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		105		мкДж		Рис.17
Главный офис	Общий заряд затвора		240		nC	VDS =800В, ID =40А, VGS =-5 до 20В	Рис.18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		50		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		96		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		1.4		ω	f=100кГц
EON	Включение переменной энергии		795		мкДж	VDS =600В, ID =50А, VGS=-5 до 20В, RG(ext)вкл/ RG(ext)выкл =2.5Ом/1.43Ом, L=120мкГн	Рис.19-22
EOFF	Выключение переменной энергии		135		мкДж
td(on)	Время задержки включения		15		nS
tr	Время нарастания		4.1
td(off)	Время задержки выключения		24
tF	Время спада		17
LsCE	Индуктивность отклоняющейся		8.8		nH

Характеристики обратного диода (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
VSD	Прямое напряжение диода		4.9		В	ISD =40А, VGS =0В	Рис.10-12
			4.5		В	ISD =40А, VGS =0В, TJ =150°C
trr	Время восстановления		18		nS	VGS =-5В/+20В, ISD =50А, VR =600В, di/dt=14.29А/нс, RG(ext) =2.5Ом, L=120мкГн
Qrr	Сбор за возврат средств		1068		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		96.3		A

Характеристики термистора NTC

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
RNTC	Номинальное сопротивление		5		кΩ	TNTC = 25℃	Рис. 27
δR/R	Погрешность сопротивления при 25℃	-5		5	%
β25/50	Значение бета		3380		К	±1%
Pmax	Диссипация мощности		5		мВт

Типичная производительность (кривые)

         

Габаритные размеры упаковки (мм)

ЗАМЕТКИ

Для получения дополнительной информации свяжитесь с отделом продаж IVCT.

Copyright©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Все права защищены.

Информация в этом документе может быть изменена без уведомления.

Связанные ссылки

http://www.inventchip.com.cn