Сик мосфета

650В 25мΩ Gen2 Автомобильный SiC MOSFET

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV2Q06025T4Z
Сертификация:	AEC-Q101

Особенности

технология второго поколения SiC MOSFET с
+18V напряжение на воротах
Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении включения
Высокоскоростной переключающий с низкой ёмкостью
Высокая способность работы при высокой температуре соединения
Очень быстрый и надежный внутренний диод
Вход на ворота Kelvin, облегчающий проектирование цепи драйвера

Применения

Водители
Инверторы солнечных батарей
Автомобильные преобразователи DC/DC
Автомобильные компрессорные инверторы
Блоки питания импульсного режима

Описание:

Маркировочный диаграмма:

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	650	В	VGS =0В, ID =100μA
VGSmax (DC)	Максимальное напряжение постоянного тока	-5 до 20	В	Статический (DC)
VGSmax (Импульс)	Максимальное напряжение импульса	-10 до 23	В	Цикл работы<1%, и ширина импульса<200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	18±0.5	В
VGSoff	Рекомендуемое напряжение выключения	-3.5 до -2	В
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	99	A	VGS =18В, TC =25°C	Рис. 23
		72	A	VGS =18В, TC =100°C
IDM	Ток стока (импульсный)	247	A	Ширина импульса ограничена SOA	Рис. 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	454	В	TC =25°C	Рис. 24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Температура соединения	-55 до 175	°C
ТЛ	Температура пайки	260	°C	пайка волновым методом разрешена только на выводах, на расстоянии 1.6 мм от корпуса в течение 10 с

Тепловые данные

Символ	Параметр	Значение	Единица	Заметка
Rθ(J-C)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	0.33	°C/W	Рис. 25

Электрические характеристики (TC =25.С, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		3	100	μA	VDS =650В, VGS =0В
IGSS	Ток утечки затвора			±100	нД	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Напряжение порога затвора	1.8	2.8	4.5	В	VGS=VDS , ID =12мА	Рис. 8, 9
VTH	Напряжение порога затвора		2.0			VGS=VDS , ID =12мА при TJ =175.С	Рис. 8, 9
Рон	Статическое сопротивление канала в режиме включения		25	33	мОм	VGS =18В, ID =40А при TJ =25.С	Рис. 4, 5, 6, 7
Рон	Статическое сопротивление канала в режиме включения		38		мОм	VGS =18В, ID =40А при TJ =175.С	Рис. 4, 5, 6, 7
Цисс	Входной пропускной способностью		3090		pF	VDS=600В, VGS =0В, f=1МГц, VAC=25мВ	Рис. 16
Косс	Выходной объем		251		pF
Крсс	Капацитет обратной передачи		19		pF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		52		мкДж		Рис. 17
Главный офис	Общий заряд затвора		125		nC	VDS =400В, ID =40А, VGS =-3 до 18В	Рис. 18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		35.7		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		38.5		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		1.5		ω	f=1МГц
EON	Включение переменной энергии		218.8		мкДж	VDS =400В, ID =40А, VGS =-3.5 до 18В, RG(внеш) =3.3Ом, L=200мкГн TJ =25°C	Рис. 19, 20
EOFF	Выключение переменной энергии		95.0		мкДж
td(on)	Время задержки включения		12.9		nS
tr	Время нарастания		26.5
td(off)	Время задержки выключения		23.2
tF	Время спада		11.7
EON	Включение переменной энергии		248.5		мкДж	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 до 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175°C	Рис. 22
EOFF	Выключение переменной энергии		99.7		мкДж		Рис. 22

Характеристики обратного диода (TC =25.С, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
VSD	Прямое напряжение диода		3.7		В	ISD =20A, VGS =0V	Рис. 10, 11, 12
VSD	Прямое напряжение диода		3.5		В	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Рис. 10, 11, 12
trr	Время восстановления		32		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Сбор за возврат средств		195.3		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		20.2		A