1200V 25mohm SiC MODUL Otočné pohonové systémy

Miesto pôvodu:	Zhejiang
Názov značky:	Inventchip Technology
Číslo modelu:	IV1B12025HC1L
Certifikácia:	AEC-Q101

Vlastnosti

• Vysoké blokovacie napätie s nízkym odporom pri vedení

• Rýchle preklápajúce sa s nízkou kapacitou

• Vysoká schopnosť prevádzky pri spojovacej teplote

• Veľmi rýchla a robustná vlastná vnútorná dióda

Aplikácie

• Solárne aplikácie

• Systém neprerušiteľného zdroja energie (UPS)

• Motorové ovládače

• Vysokonapätové konvertory DC/DC

Balenie

Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	Hodnota	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
VDS	Napätie medzi odberárom a zdrojom	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Maximálne DC napätie	-5 do 22	V	Statické (DC)
VGSmax (Výpěnka)	Maximálna bodová napätie	-10 do 25	V	<1% časová zložka, a šírka impulzu <200ns
VGSon	Odporúčané napätie zapnutia	20±0.5	V
VGSoff	Odporúčané napätie vypnutia	-3.5 do -2	V
Identifikácia	Prúd drainu (neustály)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Prúd drainu (impulzívny)	185	A	Šírka impulzu obmedzená SOA	Obr.26
PTOT	Celkové spotrebované výkon	250	W	TC =25°C	Obr.24
Tstg	Rozsah teploty skladovania	-40 do 150	°C
TJ	Maximálna virtuálna teplota spojov pri prechodových podmienkach	-40 do 150	°C	Operácia
		-55 do 175	°C	Intermitentne s redukovanej životnosťou

Teplotné údaje

Súbor	Parameter	Hodnota	Jednotka	Poznámka
Rθ(J-C)	Teplotná odpornosť od spojenia ku krabici	0.5	°C/W	Obr.25

Elektrické charakteristiky (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	Hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
IDSS	Drenážny prúd pri nulovej gatovej napäťe		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Utečový prúd brány		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Prahové napätie brány		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Obr.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Hrabe	Statická odpor medzi drainom a zdrojom		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Obr.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Vstupná kapacita		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Obr.16
Coss	Výstupná kapacita		285		pF
Crss	Kapacita opačného prenosu		20		pF
Eoss	Uložená energia Coss		105		μJ		Obr.17
Qg	Celkový vratný náboj		240		nC	VDS = 800V, ID = 40A, VGS = -5 do 20V	Obr. 18
Qgs	Náboj medzi bránou a zdrojom		50		nC
Qgd	Náboj medzi bránou a drenom		96		nC
Rg	Vstupný odpor brány		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Energetické prepnutie pri zapnutí		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 až 20V, RG(ext)zap./ RG(ext)vyp. =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Obraz.19-22
EOFF	Energetické prepnutie pri vypnutí		135		μJ
td(zač)	Čas oneskorenia pri zapnutí		15		nS
tR	Čas nárastu		4.1
td(vyp)	Čas oneskorenia pri vypnutí		24
tF	Čas pádu		17
LsCE	Nehodnotená indukcia		8.8		nH

Vlastnosti reverzného diódy (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	Hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
VSD	Predná diódová elektrická súčasť		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Obr.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Čas opačného obnovenia		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Náboj opačného obnovenia		1068		nC
IRRM	Maximálny vrcholný prúd opačného obnovenia		96.3		A

Charakteristiky NTC termistoru

Súbor	Parameter	Hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
RNTC	Nominálny odpor		5		kΩ	TNTC =25℃	Obr.27
δR/R	Tolerancia odporu pri 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta hodnota		3380		K	±1%
Pmax	Spotreba energie		5		mW

Typické vlastnosti (krivky)

         

Rozmery obalu (mm)

Poznámky

Pre ďalšie informácie sa prosím obráťte na obchodnú kanceláriu IVCT.

Autorské práva © 2022 InventChip Technology Co., Ltd. Všetky práva vyhradené.

Informácie v tomto dokumente sú predmetom zmeny bez upozornenia.

Súvisiace odkazy

http://www.inventchip.com.cn