SiC SBD

1200V 10A SiC Шотки диод AC/DC Конвертери

Uvod

Mesto porekla:	Zhejiang
Naziv brenda:	Inventchip Technology
Broj modela:	IV1D12010T2
Certifikacija:

Минимална количина паковања:	450 komada
Cena:
Detalji pakovanja:
Vreme isporuke:
Uslovi plaćanja:
Možnost ponude:

Karakteristike

Maksimalna temperatura spojnica 175°C
Visoka kapacitet prelazne struje
Nula obrnuta struja oporavanja
Nula napredna obnova napona
Rad u visokoj frekvenciji
temperatura nezavisno prelazno ponašanje
Pozitivan temperaturni koeficijent na VF

Primene

Povećanje snage sunčeve energije
Inverter Slobodno Tokući Diodi
Bečki 3-fazni PFC
Konverteri AC/DC
Napajanja u prekidnom režimu rada

Kontura

Dijagram oznaka

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametar	Vrednost	Jedinica
ВРРМ	Obrnuto napon (ponovljeni pik)	1200	V
ВДЦ	Blokirajuće napon DC	1200	V
Ако	Prosleđujući strujni (neprivređeno) @Tc=25°C	30	А
	Prosleđujući strujni (neprivređeno) @Tc=135°C	15.2	А
	Prosleđujući tok (neprekidan) @Tc=155°C	10	А
ИФСМ	Prikazni neponovljanjući napredni struja sinusna poluvaga @Tc=25°C tp=10ms	72	А
IFRM	Prikazni ponovljanjući napredni struja (Frekvencija=0.1Hz, 100 ciklusa) sinusna poluvaga @Tamb =25°C tp=10ms	56	А
Пtot	Ukupna potrošnja snage @ Tc=25°C	176	W
	Ukupna potrošnja snage @ Tc=150°C	29
	I2t vrednost @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
ТСТГ	Raspon Temperatura Skladištenja	-55 do 175	°C
Tj	Opseg radne spajalne temperature	-55 do 175	°C

Napetosti koje premašuju one navedene u tabeli maksimalnih ocena mogu oštetiti uređaj. Ako je prekoračen bilo koji od ovih limita, funkcionalnost uređaja ne treba da se pretpostavlja, može doći do oštećenja i uticati na pouzdanost.

Električne karakteristike

Симбол	Parametar	Tip.	Макс. -Макс.	Jedinica	Testni uslovi	Napomena
ВФ	Напредно напон	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Slika 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Obrnuti tok	1	100	= 0V	VR = 1200 V TJ =25°C	Slika 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Ukupna kapacitetnost	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Slika 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
KJ	Ukupni kapacitivni naboj	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Slika 4
Ец	Energija čuvana u kapacitetu	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Slika 5