Све категорије
УТРЕБНО
SiC Modul

Почетна страница /  Производи /  Komponente /  SiC Modul

SiC Modul

1200V 25mohm SiC MODUL Za vođenje motora

Увод

Место порекла: Цхецзян
Име бренда: Inventchip Technology
Број модела: IV1B12025HC1L
Сертификација: AEC-Q101


Особности

  • Visoka blokirajuća napetost sa niskim upalnom otporom

  • Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom

  • Visoka sposobnost rada pri visokoj spojnoj temperaturi

  • Veoma brz i robustni intrinzični diodni element


Примене

  • Соларне апликације

  • Sistem UPS

  • Возачи мотора

  • Konverteri visokog napona DC/DC


Пакет

image


image


Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Параметри Вредност Јединица Услови испитивања Примена
VDS Napon između odvodnika i izvora 1200 V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Максимално истоструко напонство -5 do 22 V Statički (DC)
VGSmax (Spik) Maksimalni pikovni napon -10 do 25 V <1% dužina signala, i širina impulsa <200ns
VGSon Preporučena napetost uključivanja 20±0.5 V
VGSoff Preporučena voltage za isključivanje -3.5 do -2 V
ИД Струја на дрени (непрекидна) 74 А VGS =20V, TC =25°C
50 А VGS =20V, TC =94°C
IDM Struja na drenu (pulsirajući) 185 А Dužina pulsa ograničena SOA Slika 26
Пtot Ukupna disipacija snage 250 В TC =25°C Slika 24
ТСТГ Размај температуре складиштења -40 do 150 °c
Tj Maksimalna virtualna spojna temperatura u režimu prekida -40 do 150 °c Операција
-55 do 175 °c Intermitentno sa smanjenim životnim vekom


Термични подаци

Симбол Параметри Вредност Јединица Примена
Rθ(J-C) Termalna otpornost od spoja do omotača 0.5 °С/В Slika 25


Електричке карактеристике (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Параметар Вредност Јединица Услови испитивања Примена
Мино. Tip. Макс. -Макс.
IDSS Struja drena pri nuli na vratu 10 200 мА VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Struja curenja vrata 2 ±200 нА VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH (TH) 3.2 V VGS=VDS , ID =12mA Сл.9
2.3 VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Рун Statički upornik između drena i izvora u režimu uključenja 25 33 VGS =20V, ID =40A @TJ =25°C Slika 4-7
36 VGS =20V, ID =40A @TJ =150°C
Ciss 125 °C 5.5 нФ VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV Slika 16
Coss Излазна капацитета 285 пФ
Crss Kapacitivnost povratnog prenosa 20 пФ
Eoss Energija pohranjena u Coss 105 μJ Slika 17
Главни центар Ukupna napetost na štiti 240 nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 do 20V Slika 18
Qgs Napetost između štita i izvora 50 nC
Qgd Napetost između štita i drejna 96 nC
РГ Ulazni otpor štita 1.4 о f=100kHZ
EON Укључивање прелазне енергије 795 μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 do 20V, RG(ext)uključen / RG(ext)isključen =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
EOFF Избацивање 135 μJ
td(on) Vreme kašnjenja uključivanja 15 n
tr Vreme rasta 4.1
td(off) Vreme kašnjenja isključivanja 24
тф Vreme opadanja 17
LsCE Индуктивност за пролаз 8.8 нХ


Karakteristike obrnutog dioda (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Параметри Вредност Јединица Услови испитивања Примена
Мино. Tip. Макс. -Макс.
VSD 1ms 4.9 V ISD =40A, VGS =0V Slika 10-12
4.5 V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
тр Времена повратка опоравка 18 n VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
КВРР Наплата за обнову 1068 nC
ИРРМ Pikovni obrnuti strujni tok 96.3 А


Karakteristike NTC termistora

Симбол Параметри Вредност Јединица Услови испитивања Примена
Мино. Tip. Макс. -Макс.
RNTC Nazivna otpornost 5 TNTC =25℃ Slika 27
δR/R Tolerancija otpornosti pri 25℃ -5 5 %
β25/50 Beta Vrednost 3380 K ±1%
Pmax Распадање моћи 5 мВт


Tipičan izveden (krivulje)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Димензије паковања (мм)

image



Примећења


Za dodatne informacije molimo kontaktirajte Prodajni Odeljenje IVCT-a.

Avtoritet©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Sva prava zadržana.

Informacije u ovom dokumentu su podložne promeni bez obaveštenja.


Povezane Veze


http://www.inventchip.com.cn


СРЕДНИ ПРОДУКТ