IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Za solar

Место порекла:	Цхецзян
Име бренда:	Inventchip Technology
Број модела:	IV1B12013HA1L
Сертификација:	AEC-Q101

Особности

• Visoka blokirajuća napetost sa niskim upalnom otporom

• Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom

• Visoka sposobnost rada pri visokoj spojnoj temperaturi

• Veoma brz i robustni intrinzični diodni element

Примене

• Соларне апликације

• Sistem UPS

• Возачи мотора

• Konverteri visokog napona DC/DC

Пакет

Dijagram oznaka

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност	Јединица	Услови испитивања	Примена
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1200	V
VGSmax (DC)	Максимално истоструко напонство	-5 do 22	V	Statički (DC)
VGSmax (Spik)	Maksimalni pikovni napon	-10 do 25	V	<1% dužina signala, i širina impulsa <200ns
VGSon	Preporučena napetost uključivanja	20±0.5	V
VGSoff	Preporučena voltage za isključivanje	-3.5 do -2	V
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	96	А	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	А	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Struja na drenu (pulsirajući)	204	А	Dužina pulsa ograničena SOA	Slika 26
Пtot	Ukupna disipacija snage	210	В	Tvj≤150℃	Slika 24
ТСТГ	Размај температуре складиштења	-40 do 150	°c
Tj	Maksimalna virtualna spojna temperatura u režimu prekida	-40 do 150	°c	Операција
		-55 do 175	°c	Intermitentno sa smanjenim životnim vekom

Термични подаци

Симбол	Параметри	Вредност	Јединица	Примена
Rθ(J-H)	Termalni otpor od spojnica do hlađača	0.596	°С/В	Slika 25

Електричке карактеристике (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност			Јединица	Услови испитивања	Примена
		Мино.	Tip.	Макс. -Макс.
IDSS	Struja drena pri nuli na vratu		10	200	мА	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Struja curenja vrata			±200	нА	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Сл.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Рун	Statički upornik između drena i izvora u režimu rada		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25.°C	Slika 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150.°C
Ciss	125 °C		11		нФ	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Slika 16
Coss	Излазна капацитета		507		пФ
Crss	Kapacitivnost povratnog prenosa		31		пФ
Eoss	Energija pohranjena u Coss		203		μJ		Slika 17
Главни центар	Ukupna napetost na štiti		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 do 20V	Slika 18
Qgs	Napetost između štita i izvora		100		nC
Qgd	Napetost između štita i drejna		192		nC
РГ	Ulazni otpor štita		1.0		о	f=100kHZ
EON	Укључивање прелазне енергије		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 do 20V, RG(ext)ukl./ RG(ext)iskl. =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Избацивање		182		μJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		30		n
tr	Vreme rasta		5.9
td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja		37
тф	Vreme opadanja		21
LsCE	Индуктивност за пролаз		7.6		нХ

Karakteristike obrnutog dioda (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност			Јединица	Услови испитивања	Примена
		Мино.	Tip.	Макс. -Макс.
VSD	1ms		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Slika 10-12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
тр	Времена повратка опоравка		17.4		n	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
КВРР	Наплата за обнову		1095		nC
ИРРМ	Pikovni obrnuti strujni tok		114		А

Karakteristike NTC termistora

Симбол	Параметри	Вредност			Јединица	Услови испитивања	Примена
		Мино.	Tip.	Макс. -Макс.
RNTC	Nazivna otpornost		5		kΩ	TNTC =25℃	Slika 27
δR/R	Tolerancija otpornosti pri 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta Vrednost		3380		K	±1%
Pmax	Распадање моћи		5		мВт

Tipičan izveden (krivulje)

         

Димензије паковања (мм)