1700V 1000mΩ SiC MOSFET సోలర్ ఇన్వర్టర్స్

స్థలం యొక్క ఉత్పత్తి:	జెహ్జియాగు
బ్రాండు పేరు:	ఇన్వెంట్చిప్ టెక్నాలజీ
మోడల్ సంఖ్య:	IV2Q171R0D7Z
సర్టిఫికేషన్:	AEC-Q101 యొక్క అవధారణ

లక్షణాలు

• 2వ జనరేషన్ SiC MOSFET తొలిపద్ధతితో +15~+18V గేట్ డ్రైవ్

• ఎక్కువ బ్లాకైంగ్ వోల్టేజ్ తక్కువ అన్ రిజిస్టెన్స్తో

• తక్కువ కేపాసిటెన్స్తో ఎక్కువ వేగంగా స్విచ్ చేయబడుతుంది

• 175℃ పని జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత సాధ్యత

• అతిప్రతిభాత్మక మరియు బలమైన అంతర్గతు body diode

• డ్రైవర్ సర్కిట్ డిజైన్ ఎందరూ కేల్విన్ గేట్ ఇన్పుట్

• AEC-Q101 యొక్క అవధారణ

అనువర్తనాలు

• సోలర్ ఇన్వర్టర్స్

• ఆంక్షియరీ పవర్ సరఫ్

• స్విచ్ మోడ్ పవర్ సరఫ్

• స్మార్ట్ మీటర్లు

ఆవలె:

 

మార్కింగ్ డయాగ్రామ్:

అబ్సోల్యూట్ మాక్సిమం రేటింగ్స్ (TC=25°C లేదా ఇతర నిర్దేశాలు కోసం ప్రకటించబడలేదు)

సంకేతం	పారామితి	విలువ	యూనిట్	టెస్ట్ శరీరికాలు	భావిస్తున్నారు
VDS	డ్రేన్-సోర్స్ వోల్టేజ్	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (పరిమాణం)	ఎత్తుతో ఉన్న స్పైక్ వోల్టేజ్	-10 నుండి 23	V	డయ్టీ సైకిల్ <1%, మరియు పల్స్ విస్తరణ<200ns
VGSon	సిఫార్సింగ్ చేసిన టర్న్-ఆన్ వోల్టేజ్	15 నుండి 18	V
VGSoff	సిఫార్సింగ్ చేసిన టర్న్-ఆఫ్ వోల్టేజ్	-5 నుండి -2	V	సాధారణ విలువ -3.5V
ID	ద్రవాలు (సంతతమైన)	6.3	ఎ	VGS =18V, TC =25°C	ఫిగు. 23
		4.8	ఎ	VGS =18V, TC =100°C
IDM	ద్రవాలు (పలుకుతో ప్రదానం)	15.7	ఎ	సోఎ మరియు డైనమిక Rθ(J-C) ద్వారా పలుకు విస్తరణ రెండు	ఫిగ్. 25, 26
ISM	బడీ డయోడ్ కరెంట్ (పల్స్ వార్తా)	15.7	ఎ	సోఎ మరియు డైనమిక Rθ(J-C) ద్వారా పలుకు విస్తరణ రెండు	ఫిగ్. 25, 26
PTOT	మొత్తం శక్తి విభవనం	73	W	TC =25°C	ఫిగ్. 24
Tstg	స్థితి ఉష్ణోగ్రత వ్యాప్తి	-55 నుండి 175	°C
TJ	ఆపరేటింగ్ జక్షన్ ఉష్ణోగ్రత	-55 నుండి 175	°C

థర్మల్ డేటా

సంకేతం	పారామితి	విలువ	యూనిట్	భావిస్తున్నారు
Rθ(J-C)	జంక్షన్ నుండి కేసు వరకు థర్మల్ రిజిస్టెన్స్	2.05	°C/W	ఫిగ్. 25

ఎలక్ట్రికల్ లక్షణాలు (TC = 25°C లేదా ఇతర నిర్దేశాలు దాచికి లేకుండా)

సంకేతం	పారామితి	విలువ			యూనిట్	టెస్ట్ శరీరికాలు	భావిస్తున్నారు
		నైని.	ప్రకారం	గరిష్ఠ
IDSS	శూన్య గేట్ వోల్టేజ్ డ్రైన్ రిమాయినంత ప్రవాహం		1	10	మిక్రోఏంబి	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	గేట్ లీకేజ్ కరెంట్			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	గేట్ థ్రెష홀్డ్ వోల్టేజ్	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	ఫిగు. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
RON	స్థిర డ్రైన్-సోర్స్ అన్-రిసిస్టెన్స్		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	ఫిగ్. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	ఇన్పుట్ సంవేదనాలు		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	ఫిగ్. 16
Coss	ఔట్‌పుట్ సిమ్మరాన్స్		15.3		pF
Crss	విలోమ మార్పిడి సిమ్మరాన్స్		2.2		pF
Eoss	Coss స్టోర్డ్ ఎనర్జీ		11		μJ		ఫిగ్. 17
Qg	మొత్తం గేట్ చార్జ్		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 నుండి 18V	ఫిగ్. 18
Qgs	గేట్-సోర్స్ చార్జ్		2.7		nC
Qgd	గేట్-ద్రవాశయ చార్జ్		12.5		nC
Rg	గేట్ ఇన్‌పుట్ రిసిస్టెన్స్		13		ω	f=1MHz
ఈయన్	స్విచ్ ఓన్ ఎనర్జీ		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V నుండి 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	ఫిగ్. 19, 20
ఈ఑ఫ్	స్విచ్ ఆఫ్ ఎనర్జీ		17.0		μJ
td(ఆన్)	స్విచ్ ఆన్ డెలే టైమ్		4.8		నానోసెకన్లు
tr	ప్రారంభ సమయం		13.2
td(off)	బందికి విలేపన సమయం		12.0
tf	గడువు సమయం		66.8
ఈయన్	స్విచ్ ఓన్ ఎనర్జీ		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V నుండి 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	ఫిగ్. 22

విలోమ డైయోడ్ లక్షణాలు (TC =25。C లేదా ఇతర నిర్ణయాలు క్రింద సూచించబడింది)

సంకేతం	పారామితి	విలువ			యూనిట్	టెస్ట్ శరీరికాలు	భావిస్తున్నారు
		నైని.	ప్రకారం	గరిష్ఠ
VSD	డైయోడ్ ముందు వోల్టేజ్		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	ఫిగ్. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	డయోడ్ ముందకి రవాణ (సరిహద్దు)			11.8	ఎ	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	ఎ	VGS =-2V, TC=100。C
trr	విలోమ పునర్విముక్తి సమయం		20.6		నానోసెకన్లు	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	విలోమ పునర్వసతి చార్జ్		54.2		nC
IRRM	శీర్ష విలోమ పునర్వసతి ధారా		8.2		ఎ

మౌలిక పని (వక్రాలు)

 

పేకేజీ అగ్రమానాలు

చెప్పండి:

1. పేకేజీ సందర్భం: JEDEC TO263, మార్పు AD

2. అన్ని అగ్రమానాలు mmలో ఉన్నాయి

3. గుర్తించబడని విధంగా మార్పు జరిగించవచ్చు