1200V 25mohm SiC MODULE Motor drivers

Lugar ng pinagmulan:	Zhejiang
Pangalan ng Brand:	Inventchip Technology
Numero ng Modelo:	IV1B12025HC1L
Sertipikasyon:	AEC-Q101

Features

• Mataas na bloking voltas na may mababang on-resistance

• Mabilis na pagpapalit na may mababang kapasidad

• Mataas na temperatura ng junction kapansanan

• Mabilis at malakas na inangkin na katawan diode

Paggamit

• Mga aplikasyon sa Solar

• UPS system

• Motor drivers

• Mataas na voltas na DC/DC converters

PACKAGE

Pinakamalaking Rating na Absoluto (Tc=25°C maliban kung iba pang nasabi)

Simbolo	Parameter	Halaga	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
VDS	Voltage mula Drain hanggang Source	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Pinakamataas na Ulat ng DC	-5 hanggang 22	V	Pantay (DC)
VGSmax (Spike)	Pinakamataas na spike voltage	-10 hanggang 25	V	<1% duty cycle, atbp. pulse width<200ns
VGSon	Inirerekomenda na voltageng pagsisimula	20±0.5	V
VGSoff	Inirerekomenda na voltageng pamamaraan	-3.5 hanggang -2	V
Id	Kasalukuyang dren (tinatagal)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Kasalukuyang dren (pulso)	185	A	Limitado ang lawak ng pulso sa pamamagitan ng SOA	Fig.26
Ptot	Kabuuan ng pagpapalabo ng kapangyarihan	250	W	TC =25°C	Fig.24
Tstg	Saklaw ng temperatura ng imbakan	-40 hanggang 150	°C
Tj	Pinakamataas na bersoheytong temperatura ng junction sa ilalim ng mga kondisyon ng switching	-40 hanggang 150	°C	Operasyon
		-55 hanggang 175	°C	Pansamantalang may kulang na buhay

Impormasyon ng Termal

Simbolo	Parameter	Halaga	Yunit	Tala
Rθ(J-C)	Termporal na Resistensya mula sa Junction hanggang Case	0.5	°C/W	Fig.25

Mga katangian ng kuryente (Tc=25°C maliban kung iba pang nasabi)

Simbolo	Parametro	Halaga			Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
		Min.	Tip.	Max.
IDSS	Agom na kasalukuyan sa drain nang wala pang voltasge sa gate		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kasalukuyang pagbubuga ng gate		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltage sa pagpapatala ng gate		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Katatagan ng drain-source nang hindi gumagalaw		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Fig.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Kapasidad ng input		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Kapasidad ng output		285		pF
Crss	Kapasidad ng reverse transfer		20		pF
Eoss	Inimbag na enerhiya ng Coss		105		μJ		Fig.17
Qg	Kabuuan ng casang gate		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 to 20V	Fig.18
Qgs	Casang gate-source		50		nC
Qgd	Banayad ng gate-drain		96		nC
Rg	Resistensya ng input ng gate		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Energya sa pagsaswitch sa pagsasa		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Energya ng pag-i-off ng switch		135		μJ
td(on)	Panahon ng pagdadalay sa pagsasa-on		15		nS
tR	Panahon ng pagtaas		4.1
td(off)	Panahon ng pagdadalay sa pag-i-off		24
tF	Oras ng Pagbaba		17
LsCE	Umalis na induktansya		8.8		ng

Katangian ng Reserve Diode (Tc=25°C maliban kung iba pang nasabi)

Simbolo	Parameter	Halaga			Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
		Min.	Tip.	Max.
VSD	Ulat ng diode forward		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Oras ng reverse recovery		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Buhay na pagbalik ng kababaihan		1068		nC
IRRM	Kasalukuyang baligtad na pagsisimula		96.3		A

Mga Katangian ng NTC Thermistor

Simbolo	Parameter	Halaga			Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
		Min.	Tip.	Max.
RNTC	Inilapat na Resistensya		5		kΩ	TNTC =25℃	Fig.27
δR\/R	Toleransa ng Resistensya sa 25℃	-5		5	%
β25\/50	Beta Value		3380		K	±1%
Pmax	Pagkonsumo ng enerhiya		5		metro

Tipikal na Pagganap (kurbas)

         

Sukat ng Package (mm)

Mga Tala

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring makipag-ugnay sa Sales Office ng IVCT.

Copyright©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Lahat ng mga karapatan ay nakararaan.

Ang mga impormasyon sa dokumentong ito ay maaring baguhin nang wala ng paunang babala.

Mga Ugnay na Link

http://www.inventchip.com.cn