1200V 30mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET

Özellikler

Uygulamalar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C aksi belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 to 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle<1%, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	18±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
ID	Drain akımı (sürekli)	79	Bir	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
		58	Bir	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dren akımı (puls)	198	Bir	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şek. 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	395	G	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C
TL	Kaynar sıcaklık	260	°C	dalgalandırma kaynatması sadece bacaklarda izin verilir, vücuttan 1.6mm uzakta 10 s için

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	0.38	°C/W	Şek. 23

Elektriksel Özellikler (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Şek. 8, 9
VTH	Kapı eşik voltajı		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Şek. 8, 9
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Şek. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Girdi Kapasitesi		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		140		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		7.7		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		57		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 ila 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		36.8		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		45.3		nC
Rg	Kapı giriş direnci		2.3		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 ila 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		118.0		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		15.4		ns
tr	Kalkma zamanı.		24.6
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		28.6
tF	Sonbahar zamanı		13.6

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Şek. 10, 11, 12
trr	Ters İyileşme Süresi		54.8		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		470.7		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		20.3		Bir