1700V 1000mΩ Yardımcı güç kaynakları SiC MOSFET

Özellikler

⚫ 2. Nesil SiC MOSFET Teknolojisi ile

+15~+18V kapı sürücüsü

⚫ Yüksek blokaj gerilimi ile düşük açık direnç

⚫ Düşük kapasitans ile hızlı anahtarlama

⚫ 175℃ çalışma birleşik sıcaklık yeteneği

⚫Ultra hızlı ve dayanıklı içsel gövde diyodu

⚫ Sürücü devre tasarımı kolaylaştıran Kelvin kapı girişi

Uygulamalar

⚫ Güneş enerjisi ters çevirici

⚫ Yardımcı güç kaynakları

⚫ Şalterli güç kaynakları

⚫ Akıllı sayacımlar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Geçiş)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle <1%, ve pulse width<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	15 to 18	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-5 to -2	V	Tipik değer -3.5V
ID	Drain akımı (sürekli)	6.3	Bir	VGS=18V, TC=25°C	Şek. 23
ID	Drain akımı (sürekli)	4.8	Bir	VGS=18V, TC=100°C	Şek. 23
IDM	Dren akımı (puls)	15.7	Bir	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
ISM	Vücut diyod akımı (puls)	15.7	Bir	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	73	G	TC=25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Hareket noktası sıcaklığı	-55 ile 175	°C

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	2.05	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Şek. 8, 9
VTH	Kapı eşik voltajı		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Şek. 8, 9
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Şek. 4, 5, 6, 7
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Şek. 4, 5, 6, 7
Ciss	Girdi Kapasitesi		285		pF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		15.3		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		2.2		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		11		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 ile 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		2.7		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		12.5		nC
Rg	Kapı giriş direnci		13		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ile 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		17.0		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		4.8		ns
tr	Kalkma zamanı.		13.2
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		12.0
tF	Sonbahar zamanı		66.8
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ile 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Şek. 22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		22.0		μJ		Şek. 22

Ters Diode Özellikleri (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Şek. 10, 11, 12
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			11.8	Bir	VGS=-2V, TC=25°C
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			6.8	Bir	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Ters İyileşme Süresi		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		54.2		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		8.2		Bir