1200V 25mohm SiC MODÜL Motor sürücüleri

Üretim Yeri:	Zhejiang
Marka Adı:	Inventchip Technology
Model Numarası:	IV1B12025HC1L
Sertifikasyon:	AEC-Q101

Özellikler

• Yüksek blokaj voltajı ile düşük açık direnç

• Düşük kapasitansla yüksek hızda anahtarlama

• Yüksek çalışma eklem sıcaklığı kapasitesi

• Çok hızlı ve dayanıklı içsel vücut diodu

Uygulamalar

• Güneş Enerjisi Uygulamaları

• UPS sistemi

• Motorlu Sürücüler

• Yüksek gerilimli DC/DC dönüştürücüler

Paketleme

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 ila 22	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 25	V	<1% iş yükü, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	20±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
Kimlik	Drain akımı (sürekli)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Dren akımı (puls)	185	A	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şekil 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	250	W	TC =25°C	Şekil.24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-40 ila 150	°C
Tj	Anahtarlama koşulları altında maksimum sanal birleşim sıcaklığı	-40 ila 150	°C	Operasyon
		-55 ile 175	°C	Azaltılmış ömürle aralıksal

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	0.5	°C/W	Şekil.25

Elektriksel Özellikler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Statik drain-kaynak açık direnci		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Şek.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Girdi Kapasitesi		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Şek.16
Coss	Çıkış Kapasitesi		285		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		20		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		105		μJ		Şekil 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 ila 20V	Şekil 18
Qgs	Kapı-kesen yük		50		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		96		nC
Rg	Kapı giriş direnci		1.4		ω	f=100kHZ
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 ila 20V, RG(ext)acık / RG(ext)kapalı =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Şekil.19-22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		135		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		15		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.		4.1
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		24
tF	Sonbahar zamanı		17
LsCE	Savrulan endüktansa		8.8		nH

Ters Diode Özellikleri (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
VSD	Diyot ileri voltajı		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Şekil.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Ters İyileşme Süresi		18		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Ters İyileşme Yükü		1068		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		96.3		A

NTC Termistör Özellikleri

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
RNTC	Rating direnci		5		kΩ	TNTC =25℃	Şekil.27
δR/R	25℃ deki Direnç Toleransı	-5		5	%
β25/50	Beta Değeri		3380		K	±1%
Pmax	Güç Dissipasyonu		5		mW

Tipik Performans (eğriler)

         

Paket Boyutları (mm)

NOTLAR

Daha fazla bilgi için lütfen IVCT Satış Ofisine başvurun.

Telif Hakkı©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Tüm hakları saklıdır.

Bu belgedeki bilgiler, bildirim olmadan değişebilir.

İlgili Bağlantılar

http://www.inventchip.com.cn