IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODÜL Güneş

Üretim Yeri:	Zhejiang
Marka Adı:	Inventchip Technology
Model Numarası:	IV1B12013HA1L
Sertifikasyon:	AEC-Q101

Özellikler

• Yüksek blokaj voltajı ile düşük açık direnç

• Düşük kapasitansla yüksek hızda anahtarlama

• Yüksek çalışma eklem sıcaklığı kapasitesi

• Çok hızlı ve dayanıklı içsel vücut diodu

Uygulamalar

• Güneş Enerjisi Uygulamaları

• UPS sistemi

• Motorlu Sürücüler

• Yüksek gerilimli DC/DC dönüştürücüler

Paketleme

İşaretleyiş Şeması

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 ila 22	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 25	V	<1% iş yükü, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	20±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
Kimlik	Drain akımı (sürekli)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Dren akımı (puls)	204	A	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şekil 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	210	W	Tvj≤150℃	Şekil.24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-40 ila 150	°C
Tj	Anahtarlama koşulları altında maksimum sanal birleşim sıcaklığı	-40 ila 150	°C	Operasyon
		-55 ile 175	°C	Azaltılmış ömürle aralıksal

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-H)	Birleşimden Isı Sigortasına Termal Direnç	0.596	°C/W	Şekil.25

Elektriksel Özellikler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statik drain-kaynak açık direnci		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Şek.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150°C
Ciss	Girdi Kapasitesi		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Şek.16
Coss	Çıkış Kapasitesi		507		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		31		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		203		μJ		Şekil 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 ila 20V	Şekil 18
Qgs	Kapı-kesen yük		100		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		192		nC
Rg	Kapı giriş direnci		1.0		ω	f=100kHZ
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 ila 20V, RG(ext)acık/RG(ext)kapalı =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Şekil.19-22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		182		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		30		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.		5.9
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		37
tF	Sonbahar zamanı		21
LsCE	Savrulan endüktansa		7.6		nH

Ters Diode Özellikleri (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
VSD	Diyot ileri voltajı		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Şekil.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Ters İyileşme Süresi		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Ters İyileşme Yükü		1095		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		114		A

NTC Termistör Özellikleri

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
RNTC	Rating direnci		5		kΩ	TNTC =25℃	Şekil.27
δR/R	25℃ deki Direnç Toleransı	-5		5	%
β25/50	Beta Değeri		3380		K	±1%
Pmax	Güç Dissipasyonu		5		mW

Tipik Performans (eğriler)

         

Paket Boyutları (mm)