IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODÜL Güneş

Menşei Yeri:	Zhejiang
Marka Adı:	Inventchip Technology
Model Numarası:	IV1B12013HA1L
Belgelendirme:	AEC-Q101

Özellikler

• Yüksek blokaj voltajı ile düşük açık direnç

• Düşük kapasitansla yüksek hızda anahtarlama

• Yüksek çalışma eklem sıcaklığı kapasitesi

• Çok hızlı ve dayanıklı içsel vücut diodu

Uygulamalar

• Güneş Enerjisi Uygulamaları

• UPS sistemi

• Motorlu Sürücüler

• Yüksek gerilimli DC/DC dönüştürücüler

Paketleme

İşaretleyiş Şeması

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 ila 22	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 25	V	<1% iş yükü, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	20±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
ID	Drain akımı (sürekli)	96	Bir	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	Bir	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Dren akımı (puls)	204	Bir	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şekil 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	210	G	Tvj≤150℃	Şekil.24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-40 ila 150	°C
Tj	Anahtarlama koşulları altında maksimum sanal birleşim sıcaklığı	-40 ila 150	°C	Operasyon
		-55 ile 175	°C	Azaltılmış ömürle aralıksal

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-H)	Birleşimden Isı Sigortasına Termal Direnç	0.596	°C/W	Şekil.25

Elektriksel Özellikler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Şek.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150°C
Ciss	Girdi Kapasitesi		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Şek.16
Coss	Çıkış Kapasitesi		507		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		31		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		203		μJ		Şekil 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 ila 20V	Şekil 18
Qgs	Kapı-kesen yük		100		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		192		nC
Rg	Kapı giriş direnci		1.0		ω	f=100kHZ
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 ila 20V, RG(ext)acık/RG(ext)kapalı =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Şekil.19-22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		182		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		30		ns
tr	Kalkma zamanı.		5.9
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		37
tF	Sonbahar zamanı		21
LsCE	Savrulan endüktansa		7.6		nH

Ters Diode Özellikleri (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
VSD	Diyot ileri voltajı		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Şekil.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Ters İyileşme Süresi		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Ters İyileşme Yükü		1095		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		114		Bir

NTC Termistör Özellikleri

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
RNTC	Rating direnci		5		kΩ	TNTC =25℃	Şekil.27
δR/R	25℃ deki Direnç Toleransı	-5		5	%
β25/50	Beta Değeri		3380		K	±1%
Pmax	Güç Dissipasyonu		5		mW

Tipik Performans (eğriler)

         

Paket Boyutları (mm)