1200V 30mΩ Gen2 Automobil-SiC MOSFET

Funktionen

ANWENDUNGEN

Übersicht:

Kennzeichnungsdiagramm:

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Gleichstrom)	Maximale Gleichspannung	-5 bis 20	V	Statisch (Gleichstrom)
VGSmax (Spike)	Maximale Spikespannung	-10 bis 23	V	Tastverhältnis <1%, und Impulsdauer <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	18±0,5	V
VGSoff	Empfohlene Ausschaltspannung	-3,5 bis -2	V
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	79	Ein	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
		58	Ein	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	198	Ein	Pulsbreite durch SOA begrenzt	Abb. 26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	395	W	TC =25°C	Abb. 24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperatur der Leiterplatte	-55 bis 175	°C
TL	Löttemperatur	260	°C	wellenlötverfahren nur an den Anschlussleitungen, 1.6mm vom Gehäuse entfernt für 10 s

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-C)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse	0.38	°C/W	Abb. 23

Elektrische Eigenschaften (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Abb. 8, 9
VTH	Schrankschwellenspannung		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Abb. 8, 9
Ron	Statische Drain-Source-Ein-Widerstand		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Abb. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Eingangskapazität		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Abb. 16
Coss	Ausgangskapazität		140		pF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		7.7		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		57		μJ		Abb. 17
QG	Gesamtgate Ladung		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 bis 18V	Abb. 18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		36.8		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		45.3		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		2.3		ω	f=1MHz
EON	Einschalt-Schaltenergie		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25°C	Abb. 19, 20
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		118.0		μJ
die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		15.4		nS
tr	Aufstiegszeit		24.6
td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		28.6
tF	Herbstzeit		13.6

Rücklaufdiodencharakteristiken (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Abb. 10, 11, 12
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175°C	Abb. 10, 11, 12
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		54.8		nS	VGS=-3,5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		470.7		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		20.3		Ein