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SiC MOSFET

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SiC MOSFET

1200V 40mΩ Gen2 Automobil-SiC MOSFET

Einführung

Herkunftsort: Shanghai
Markenname: Inventchip Technology
Artikelnummer: IV2Q12040T4Z
Zertifizierung: AEC-Q101

Funktionen

  • 2nd Generation SiC MOSFET-Technologie mit

  • +15~+18V Gattertreibspannung

  • Hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand

  • Hochgeschwindigkeitswechsel mit geringer Kapazität

  • betriebstemperaturkapazität von 175°C

  • Ultrschnelles und robustes intrinsisches Körperschottkydiode

  • Kelvin-Gatter-Eingang erleichtert die Schaltungsentwicklung

  • AEC-Q101 zertifiziert

ANWENDUNGEN

  • Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und OBCs

  • Solargüter

  • Automobil-Kompressoreinverter

  • Gleich-/Wechselstromversorgungen


Übersicht:

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Kennzeichnungsdiagramm:

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Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol Parameter Wert Einheit Prüfbedingungen Hinweis
VDS Dreckschlepp-Spannung 1200 V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transient) Maximale Transientenspannung -10 bis 23 V Tastverhältnis <1%, und Impulsdauer <200ns
VGSon Empfohlene Einschaltspannung 15 bis 18 V
VGSoff Empfohlene Ausschaltspannung -5 bis -2 V Typisch -3,5V
Identifizierung Drehschwingung (kontinuierlich) 65 Ein VGS =18V, TC =25°C Abb. 23
48 Ein VGS =18V, TC =100°C
IDM Drehschaltstrom (gepulst) 162 Ein Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt Abb. 25, 26
ISM Körperschaltaustrom (gepulst) 162 Ein Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt Abb. 25, 26
Ptot Gesamtleistungsverlust 375 W TC =25°C Abb. 24
Tstg Lagerungstemperaturbereich -55 bis 175 °C
Tj Betriebstemperatur der Leiterplatte -55 bis 175 °C
TL Löttemperatur 260 °C wellenlötverfahren nur an den Anschlussleitungen, 1.6mm vom Gehäuse entfernt für 10 s


Thermaldaten

Symbol Parameter Wert Einheit Hinweis
Rθ(J-C) Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse 0.4 °C/W Abb. 25


Elektrische Kennwerte (TC = 25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol Parameter Wert Einheit Prüfbedingungen Hinweis
Min. - Das ist typisch. Max.
IDSS Durchflussstrom bei null Gate-Spannung 5 100 μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Durchlässigkeit des Tores ±100 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Schrankschwellenspannung 1.8 2.8 4.5 V VGS =VDS , ID =9mA Abb. 8, 9
2.1 VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C
Ron Statische Drain-Source-Ein-Widerstand 40 52 VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C Abb. 4, 5, 6, 7
75 VGS =18V, ID =20A @TJ =175°C
50 65 VGS =15V, ID =20A @TJ =25°C
80 VGS =15V, ID =20A @TJ =175°C
Ciss Eingangskapazität 2160 pF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Abb. 16
Coss Ausgangskapazität 100 pF
Crss Rückwärtsübertragungs-Kapazität 5.8 pF
Eoss Coss gespeicherte Energie 40 μJ Abb. 17
QG Gesamtgate Ladung 110 nC VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 bis 18V Abb. 18
Qgs Gitter-Quell-Ladung 25 nC
Qgd Gitter-Drain-Ladung 59 nC
Rg Gitter-Eingangswiderstand 2.1 ω f=1MHz
EON Einschalt-Schaltenergie 446.3 μJ VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25°C Abb. 19, 20
EOFF Ausschalt-Schaltenergie 70.0 μJ
die Daten sind nicht verfügbar. Verzögerungszeit der Einleitung 9.6 nS
tr Aufstiegszeit 22.1
td (ausgeschaltet) Verzögerungszeit für die Abschaltung 19.3
tF Herbstzeit 10.5
EON Einschalt-Schaltenergie 644.4 μJ VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =175°C Abb. 22
EOFF Ausschalt-Schaltenergie 73.8 μJ


Rückwärts-Diode-Eigenschaften (TC =25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol Parameter Wert Einheit Prüfbedingungen Hinweis
Min. - Das ist typisch. Max.
VSD Diodenvorwärtsspannung 4.2 V ISD =20A, VGS =0V Abb. 10, 11, 12
4.0 V ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C
IS Diodenvorwärtsstrom (stetig) 63 Ein VGS = -2V, TC = 25°C
36 Ein VGS = -2V, TC = 100°C
trr Rückwärts-Rückgewinnungszeit 42.0 nS VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr Rückwärts-Rückgewinnungsladung 198.1 nC
IRRM Spitzenwert des Rücklaufstroms 17.4 Ein


Typische Leistung (Kurven)

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Paketabmessungen

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Hinweis:

1. Gehäusebezeichnung: JEDEC TO247, Variation AD

2. Alle Maße in mm

3. Schraffur erforderlich, Kerbe kann abgerundet sein

4. Maße D&E beinhalten keinen Formfehler des Spritzgußes

5. Ohne Vorankündigung können Änderungen vorgenommen werden


VERWANDTES PRODUKT