1200V 25mohm SiC-MODULE Motorsteuerungen

Merkmale

Anwendungen

Verpackung

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (Gleichstrom)	Maximale Gleichspannung	-5 bis 22	V	Statisch (Gleichstrom)
VGSmax (Spike)	Maximale Spikespannung	-10 bis 25	V	<1% Tastverhältnis und Impulsbreite <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	20±0.5	V
VGSoff	Empfohlene Abschaltspannung	-3,5 bis -2	V
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	74	A	VGS = 20V, TC = 25°C
		50	A	VGS = 20V, TC = 94°C
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	185	A	Pulsbreite durch SOA begrenzt	Abb.26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	250	W	TC =25°C	Abb.24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis 150	°C
Tj	Maximale virtuelle Wicklungstemperatur unter Schaltbedingungen	-40 bis 150	°C	Betrieb
		-55 bis 175	°C	Unterbrochen mit reduzierter Lebensdauer

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-C)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse	0.5	°C/W	Abb.25

Elektrische Eigenschaften (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parametrieren	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
		Min.	- Das ist typisch.	Max.
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Statische Drain-Source-Ein-Widerstand		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Abb.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Eingangskapazität		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Abb.16
Coss	Ausgangskapazität		285		pF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		20		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		105		μJ		Abb.17
QG	Gesamtgate Ladung		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 bis 20V	Abb.18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		50		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		96		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Einschalt-Schaltenergie		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 bis 20V, RG(ext)an/ RG(ext)aus =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Abb.19-22
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		135		μJ
die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		15		nS
tr	Aufstiegszeit		4.1
td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		24
tF	Herbstzeit		17
LsCE	Streuinduktivität		8.8		nH

Rücklaufdiodencharakteristiken (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Abb.10- 12
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C	Abb.10- 12
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		1068		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		96.3		A

NTC-Thermistor-Eigenschaften