650V 25mΩ Gen2 Automobil-SiC MOSFET

Merkmale

Anwendungen

Übersicht:

Kennzeichnungsdiagramm:

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Gleichstrom)	Maximale Gleichspannung	-5 bis 20	V	Statisch (Gleichstrom)
VGSmax (Spike)	Maximale Spikespannung	-10 bis 23	V	Tastverhältnis <1%, und Impulsdauer <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	18±0,5	V
VGSoff	Empfohlene Ausschaltspannung	-3,5 bis -2	V
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	247	A	Pulsbreite durch SOA begrenzt	Abb. 26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	454	W	TC =25°C	Abb. 24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperatur der Leiterplatte	-55 bis 175	°C
TL	Löttemperatur	260	°C	wellenlötverfahren nur an den Anschlussleitungen, 1.6mm vom Gehäuse entfernt für 10 s

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-C)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse	0.33	°C/W	Abb. 25

Elektrische Eigenschaften (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Abb. 8, 9
VTH	Schrankschwellenspannung		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Abb. 8, 9
Ron	Statische Drain-Source-Leitungswiderstand		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Abb. 4, 5, 6, 7
Ron	Statische Drain-Source-Leitungswiderstand		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Abb. 4, 5, 6, 7
Ciss	Eingangskapazität		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Abb. 16
Coss	Ausgangskapazität		251		pF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		19		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		52		μJ		Abb. 17
QG	Gesamtgate Ladung		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 bis 18V	Abb. 18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		35.7		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		38.5		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		1.5		ω	f=1MHz
EON	Einschalt-Schaltenergie		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25°C	Abb. 19, 20
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		95.0		μJ
die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		12.9		nS
tr	Aufstiegszeit		26.5
td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		23.2
tF	Herbstzeit		11.7
EON	Einschalt-Schaltenergie		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 bis 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175°C	Abb. 22
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		99.7		μJ		Abb. 22

Rücklaufdiodencharakteristiken (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VSD	Diodenvorwärtsspannung		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Abb. 10, 11, 12
VSD	Diodenvorwärtsspannung		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Abb. 10, 11, 12
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		32		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		195.3		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		20.2		A