IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC-MODULE Solar

Herkunftsort:	Zhejiang
Markenname:	Inventchip Technology
Artikelnummer:	IV1B12013HA1L
Zertifizierung:	AEC-Q101

Funktionen

• Hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand

• Hochgeschwindigkeitswechsel mit geringer Kapazität

• Hohe Betriebstemperaturfähigkeit

• Sehr schnelle und robuste interne Body-Diode

ANWENDUNGEN

• Solaranwendungen

• UPS-System

• Motorantriebe

• Hochspannungs DC/DC-Wandler

Verpackung

Markierungsdiagramm

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	1200	V
VGSmax (Gleichstrom)	Maximale Gleichspannung	-5 bis 22	V	Statisch (Gleichstrom)
VGSmax (Spike)	Maximale Spikespannung	-10 bis 25	V	<1% Tastverhältnis und Impulsbreite <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	20±0.5	V
VGSoff	Empfohlene Abschaltspannung	-3,5 bis -2	V
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	96	Ein	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	Ein	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	204	Ein	Pulsbreite durch SOA begrenzt	Abb.26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	210	W	Tvj≤150℃	Abb.24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis 150	°C
Tj	Maximale virtuelle Wicklungstemperatur unter Schaltbedingungen	-40 bis 150	°C	Betrieb
		-55 bis 175	°C	Unterbrochen mit reduzierter Lebensdauer

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-H)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Wicklung zum Kühler	0.596	°C/W	Abb.25

Elektrische Eigenschaften (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
		Min.	- Das ist typisch.	Max.
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statische Drain-Source-Leitungswiderstand		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Abb.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150. C
Ciss	Eingangskapazität		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Abb.16
Coss	Ausgangskapazität		507		pF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		31		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		203		μJ		Abb.17
QG	Gesamtgate Ladung		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 bis 20V	Abb.18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		100		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		192		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Einschalt-Schaltenergie		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 bis 20V, RG(ext)an/ RG(ext)aus =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Abb.19-22
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		182		μJ
die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		30		nS
tr	Aufstiegszeit		5.9
td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		37
tF	Herbstzeit		21
LsCE	Streuinduktivität		7.6		nH

Rücklaufdiodencharakteristiken (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
		Min.	- Das ist typisch.	Max.
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Abb.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		1095		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		114		Ein

NTC-Thermistor-Eigenschaften

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
		Min.	- Das ist typisch.	Max.
RNTC	Nennwiderstand		5		kΩ	TNTC = 25℃	Abb.27
δR/R	Widerstandstoleranz bei 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta-Wert		3380		K	±1%
Pmax	Leistungsverlust		5		mW

Typische Leistung (Kurven)

         

Gehäusedimensionen (mm)