Főoldal / Termékek / Komponensek / SiC MOSFET
| Származási hely: | Shanghai |
| Márkaneve: | Inventchip Technology |
| Modell száma: | IV2Q12040T4Z |
| Tanúsítvány: | AEC-Q101 |
Jellemzők
2és Generáció SiC MOSFET Technológia a
+15~+18V kapcsolóerőforrás
Magas blokkoló feszültség alacsony bekapcsolt ellenállással
Magas sebességű kapcsolás alacsony kapacitással
175°C működési csatkapocs temperatúra képesség
Ultra gyors és erős belső testdiód
Kelvin kapcsoló bemenet vezérlő áramkör tervezésének megkönnyítése
AEC-Q101 minősítve
Alkalmazások
EV töltők és OBC-k
Naplóemelők
Autó szivattyú inverterek
AC/DC áramforrások
Vázlat:
Jelölési diagram:
Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)
| Szimbólum | Paraméter | Érték | Egység | A vizsgálati feltételek | Megjegyzés |
| VDS | Dren-Sz supply feszültség | 1200 | V. | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (Tranzien) | Maximális átmeneti feszültség | -10 to 23 | V. | Töltési arány<1%, és impulzus szélesség<200ns | |
| VGSon | Ajánlott bekapcsolási feszültség | 15 to 18 | V. | ||
| VGSoff | Ajánlott kikapcsolási feszültség | -5 to -2 | V. | Tipikus -3.5V | |
| ID | Folyamatos áram (folyamatos) | 65 | A | VGS =18V, TC =25°C | Ábr. 23 |
| 48 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | Csatott áram (impulzus) | 162 | A | Impulzus szélesség a SOA és a dinamikus Rθ(J-C) korlátozza | Ábr. 25, 26 |
| ISM | Test dióda-áram (impulzus) | 162 | A | Impulzus szélesség a SOA és a dinamikus Rθ(J-C) korlátozza | Ábr. 25, 26 |
| Ptot | Összes teljesítményveszteség | 375 | W | TC =25°C | Ábr. 24 |
| TSTG | Tárolóhőmérséklet-tartomány | -55 to 175 | °C | ||
| Tj | Működési csomóponti hőmérséklet | -55 to 175 | °C | ||
| TL | Sövődési hőmérséklet | 260 | °C | csak vezetéken engedélyezett hullámös sövő, 1.6mm a fedélztől 10 másodpercig |
Hőmérsékleti adatok
| Szimbólum | Paraméter | Érték | Egység | Megjegyzés |
| Rθ(J-C) | Hőellenállás a csatolástól a fedélzéhez | 0.4 | °C/W | Ábra 25 |
Elektromos jellemzők (TC =25。C külön megjelölés nélkül)
| Szimbólum | Paraméter | Érték | Egység | A vizsgálati feltételek | Megjegyzés | ||
| Min. | - Tipikus. | - Max, kérlek! | |||||
| IDSS | Nulla kapu feszültségű drain áram | 5 | 100 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | A kapu szivárgási áram | ±100 | nA | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
| VTH | A kapcsoló küszöbfeszültség | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V. | VGS =VDS , ID =9mA | Ábra 8, 9 |
| 2.1 | VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175.°C | ||||||
| Ron | Statikus forráshoz-visszavezetési bekapcsolási ellenállás | 40 | 52 | mΩ | VGS =18V, ID =20A @TJ =25.°C | Ábra 4, 5, 6, 7 | |
| 75 | mΩ | VGS =18V, ID =20A @TJ =175. C | |||||
| 50 | 65 | mΩ | VGS =15V, ID =20A @TJ =25. C | ||||
| 80 | mΩ | VGS =15V, ID =20A @TJ =175. C | |||||
| Ciss | Bevezető kapacitás | 2160 | pF | VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Ábra 16 | ||
| Coss | Kibocsátási kapacitás | 100 | pF | ||||
| Crss | Visszafordító kapacitás | 5.8 | pF | ||||
| Eoss | Coss tárolt energia | 40 | μJ | Ábra 17 | |||
| Qg | Teljes kapcsoló töltés | 110 | nC | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 to 18V | Ábr. 18 | ||
| Qgs | Csapó-forrás töltés | 25 | nC | ||||
| Qgd | Csapó-drain töltés | 59 | nC | ||||
| Rg | Csapó bemeneti ellenállás | 2.1 | ó | f=1MHz | |||
| EON | Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor | 446.3 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Ábr. 19, 20 | ||
| EOFF | Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor | 70.0 | μJ | ||||
| tg ((on) | Beállítási késleltetési idő | 9.6 | cs | ||||
| tr | Felemelkedési idő | 22.1 | |||||
| csv (ki) | A kikapcsoló késleltetési idő | 19.3 | |||||
| tf | Őszidő | 10.5 | |||||
| EON | Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor | 644.4 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C | Ábr. 22 | ||
| EOFF | Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor | 73.8 | μJ | ||||
Fordított dió jellemzők (TC =25。C külön megjelölés nélkül)
| Szimbólum | Paraméter | Érték | Egység | A vizsgálati feltételek | Megjegyzés | ||
| Min. | - Tipikus. | - Max, kérlek! | |||||
| VSD | Diódás előrehajtás | 4.2 | V. | ISD =20A, VGS =0V | Ábr. 10, 11, 12 | ||
| 4.0 | V. | ISD =20A, VGS =0V, TJ =175. C | |||||
| Az | Dió előreirányított áram (folyamatos) | 63 | A | VGS =-2V, TC =25. C | |||
| 36 | A | VGS =-2V, TC=100. C | |||||
| trr | Visszafelé Helyreállító Idő | 42.0 | cs | VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | Visszafelé Helyreállító Töltés | 198.1 | nC | ||||
| IRRM | Csúcsos fordított helyreálló áram | 17.4 | A | ||||
Tipikus teljesítmény (görbék)
Csomag méretei
Megjegyzés:
1. Csomag referencia: JEDEC TO247, AD változat
2. Minden méret milliméterben van megadva
3. Szükséges a rész, a nyílás kerekíthető
4. A méreteket és súlyt a forma flash nélkül kell megadni
5. Változhat without értesítés nélkül
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
